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解析伺服系统之新记忆体架构──FB-DIMM
Intel记取DRAM教训后的新修正?

【作者: 陳隱志】2006年06月02日 星期五

浏览人次:【9466】

2006年5月4日,JEDEC正式发布最终敲定的FB-DIMM规格标准,FB-DIMM是由Intel提出的一项新记忆体架构,用意在于提升伺服器及高阶工作站的记忆体效能,同时也扩增记忆体的容量潜能。 FB-DIMM(Full Buffered Dual In Line Memory Module,有时也写成FBDIMM)与现有的记忆体架构相较到底有何承袭与革新?本文以下将对此更深入解析。


《图一 FB-DIMM依然使用今日主流的DDR2 SDRAM内存颗粒》
《图一 FB-DIMM依然使用今日主流的DDR2 SDRAM内存颗粒》

传统架构的效能、容量皆已受限

长久以来记忆体一直倚赖两种手法来提升效能,一是加宽资料传输的并行度,另一是加快资料传输的时脉速度,不断加宽的结果是记忆体模组(DIMM)的接脚数愈来愈多,从过去的FPM/EDO RAM 72pin、SDR SDRAM 168pin、DDR SDRAM 184pin,到今日DDR2 SDRAM的240pin,然而主机板的电路布局面积有限,难以再用拓宽线路数的方式来提升效能,虽然可以用增加电路板层数的方式来因应,但成本也会大增。
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