随着信息时代的快速发展情况下,在个人无线通信、家庭有线通讯的要求亦与日俱增,前者已由GSM、GPRS、进到第三代IMT-2000,后者则有由电话线、cable线进展到光纤的趋势,其中不祇系统架构、电路设计有重大变革,且其主要规格如传输数据速率亦快速增加;而这些成果主要拜半导体制程技术突飞猛进之赐,尤其硅制程技术在高频/高速特性的突破性进展,加上其高度整合性,使其成本的降低与市场的扩充造成良性循环,促进整个产业澎渤发展。
选择适用于通讯产品的ICs制程技术,一直有很大争论,尤其在所谓的RF CMOS加入战局之后;过去几年以来通讯ICs零组件有各种方式被提出,包括Silicon-Based技术(CMOS、Bipolar、SiGe HBT、BiCMOS),III-V族技术(GaAs/InP MESFET、HBT)。虽然最终的考虑应是经济因素,能以最低成本和最快时间将产品推出市场的将是最大赢家;但各种制程技术的高频特性,无疑是开发阶段中作为评估的重要依据。基本上III-V族技术其高频特性是优于硅制程技术,但在硅制程技术不断降低尺寸、提升效能情势下,其高频特性能已能进一步满足电路规格要求,在成本和整合性的考虑之下,无疑有将渐渐取代GaAs的可能,尤其在10GHz以下产品。
本文主要探讨硅制程技术在无线通信产品的发展现况及挑战,分别从无线通信发展趋势、组件高频特性、和RF功能单元实现,来分析各式ICs技术之优缺点与限制,涵盖着noise figure、linearity、gain、phase noise和power dissipation诸多高频系统特性,其中亦兼论到宽带光纤通讯ICs,最后对目前在研究发展的新兴技术作一番探讨,并认为High Performance SiGe BiCMOS为目前最实际可行、有效技术。
无线/光纤通讯发展趋势与架构
无线/光纤通讯发展趋势
在不久将来,可预测个人通讯网络系统将会如(图一)所示,包括以WLAN(或Bluetooth)连接的短距离(10~30m)、cellular phone连接的长距离(1.0~5km)无线通信网络,以及以光纤连接的有线通讯网络;为因应多媒体的需求,两者传输速率亦与日俱增,这也是高频半导体制程技术,尤其硅制程技术发展的主要原动力。
《图一 个人无线/光鲜通讯网络 ([Source]: IBM J. Res. Develop.) [1]》 |
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如以无线通信网络发展趋势来看,其移动率和传输速率的演变可以(图二)表示,其中阴影区域为目前正在开发三种不同需求的无线通信技术,IMT2000 (International Mobile Telecommunications 2000) Phase I为高移动率/低容量系统,其传输率依移动率的快慢可从144Kbps到2Mbps,AWA (Advanced Wireless Access)为低移动率/中容量系统,其传输率可达10Mbps,WLL (Wireless Local Loop) 或LMDS (Local multipoint Distributed System)属静止/高容量系统,其传输率将超过20Mbps以上;前两者被称为过渡期的第三代cellular phone,将在2010年进一步结合发展成高移动率/高容量的第四代。
另外,有关有线光纤通讯网络系统,如SONET (Synchronous Optical Network)其传输速率亦由之前100Mbps、2.5Gbps、10Gbps,快速提升到40Gbps。
《图二 无线通信系统移动率与传输速率的演进 ([Source]: Solid-State Electronics) [2]》 |
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无线/光纤通讯架构
典型无线通信终端产品(wireless communication terminal)的功能方块图如(图三)所示,同时亦显示各个功能方块所应用到的各式ICs制程技术。GaAs主要用于靠近天线的前端(front-end)区域,包括RF T/R switch、LNA、PA,取其具有低电流损耗、低噪声、高功率效率,尤其GaAs在switch处于off-state状态所具有的低耗损(insertion loss)、高隔离(isolation)的特性,更是其它技术不易取代;Bipolar (BiCMOS)则用在mixer、frequency synthesizer等中频信号处理,有时亦涵盖LNA 和VCO,视系统需求而定;基频部份则非CMOS莫属。
《图三 典型无线通信终端产品的功能方块与制程技术》 |
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至于光纤通讯高速电路部份架构如(图四)所示,之前皆属III-V族技术,包括所有功能方块的ICs以及Laser、Photo Diode,目前除后者光电组件外,已有多种电路利用硅制程技术来制作,传输速率高达40Gbps都已被验证。
《图四 光纤通讯收发器高速电路架构〈数据源:Source: Lucent's Presentation [3]〉》 |
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各式ICs技术高频特性与RFICs Block实现
各式ICs技术高频特性
应用于无线通信IC的晶体管,最能显示其高频特征的有底下几个参数:1. Short-circuit current gain band width (fT);2. Maximum power gain bandwidth (fMAX); 3. Minimum noise figure (NF); 4. Maximum power-added efficiency; 5. Linearity (IIP3)。在众多的半导体技术中,目前各自拥有成熟技术的特征值比较,可由(表一)看出。基本上GaAs (MESFET、HBT)其高频特性是远优于Si BJT(CMOS),但在Si BJT(CMOS)不断降低尺寸、提升效能情势下,GaAs已无法像CMOS在数字ICs技术中一样一直占有主流地位,如果Si BJT(CMOS)高频特性能进一步满足电路规格要求,在成本和整合性的考虑之下,无疑将渐渐取代GaAs,此点将为底下章节讨论重点。
表一 各式IC技术组件高频特性比较
Criterion |
Si BJT |
Si/SiGe HBT |
GaAs
MESFET |
GaAs
HBT |
BiCMOS
BJT |
BVCEO/BVDS |
4 |
4 |
8 |
15 |
6 |
FT(GHz) |
32 |
55 |
50 |
30 |
13 |
FMAX(GHz) |
35 |
55 |
60 |
70 |
11 |
GMAX@2GHz(db) |
24 |
28 |
20 |
19 |
17 |
Noise figure@2GHz(db) |
1.0 |
0.5 |
0.3 |
1.5 |
1.0 |
IP3/P-1 db(db) |
9 |
9 |
12 |
16 |
9 |
Power-added efficiency@3V(%) |
|
70 |
60@5V |
70 |
40 |
如果将电流损耗、被动组件整合性、制造复杂度考虑进来,可以归纳成(表二);理想RF IC制程技术应该同时能达到低噪声、高线性(high IIP3)、低电流损耗、高度整合性、低制造成本的要求。
表二 理想RFICs制作过程
Criterion |
Ideal |
GaAs
MESFET |
RF
MOSFET |
Bipolar |
Si/SiGe
HBT |
Noise Figure |
low |
low |
high |
moderate |
low |
Input IP3 capacity |
high |
high |
moderate |
moderate |
high |
Current consumption |
low |
low |
high |
moderate |
low |
Passive component
integration |
high |
high |
low |
low |
high |
Implementation |
low |
high |
low |
low |
high |
Source :Microwave journ﹝4﹞
RFICs Building Block实现 (各种制程技术考虑、比较)
底下将就如何利用不同ICs制程技术来实现前述RFICs各个主要building block,作一详尽探讨,主要讨论每个RF /IF building block的重要规格参数,和达到此规格所需要的组件参数,以及不同ICs制程技术优缺点与限制。
1. Low-Noise Amplifier:
LNA是RF效能优劣的第一道关卡,因为要能将来自天线众多混乱信号中取出所要信号,LNA需要具有低噪声(low noise)、高线性(high linearity)特性,其分别指针为noise figure(dB)、third-order input intercept point(IIP3);另外高增益(high gain)、低功率消耗(low dc power consumption)亦是必须考虑参数。
晶体管(BJT's and FET's)的minimum noise figure可以表示为
(公式一)
Noise Figure ~" 1+ kgm rb/g (f/fT )
2(公式一) |
晶体管要获得低噪声,其input resistance (rb/g)要尽可能降低,同时拉高cut-off frequency。一般来说(rg)MESFET < (rb)BJT < (rg)MOSFET,提升Si-RF特性必需降低rb/g值,Bipolar除可由水平方向缩小尺寸降低寄生基极电阻外,另外亦可藉base-engineering来提高基极浓度,进一步降低rb值;MOSFET's则要降低poly- gate电阻,常用方法为 polycide gate,最近更有人提出“T-gate”结构,使其rg快逼近MESFET's。
(图五)显示不同技术所制作出来的LNA,在2 GHz频率时其Gain / Pdc比值对NF作图,Gain / (Pdc·NF)此特征值(figure-of-merit)为LNA效能重要指针,愈高者表示在同一个NF值之下其gain愈高且功率损耗愈低,亦就是其效能愈佳,由图可看出Si CMOS落在0.4 (1/mW)线以下,Si bipolar稍好可达到1.0 (1/mW),GaAs介于1.0 ~ 2.5 (1/mW)之间,最近SiGe HBT甚至可达5.5 (1/mW),表示silicon-based组件特性亦可优于GaAs。
《图五 各式制程技术其FOM值的比较 〈数据源:Source : IE3 SC [5]》 |
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2. VCO & Frequency Synthesizer:〉
因为受到不易on-chip制作高Q值inductor、varactor-diode,和无法调正制程变异所造成偏移等种种限制,VCO目前大都为混合式(hybrid),利用低1/f bipolar、高Q表面黏着inductor、varactor-diode等分立组件组合而成,并可作温度补偿和雷射调正以达到设定中心频率;一般bipolar具有1/f noise转折频率在1 KHz以下的特点,单芯片LC tank VCO其phase noise目前约略可作到 -105 dBc/Hz (at 100kHz offset)。如果channel spacing 要更窄以容纳更多频道,则1/f noise corner frequency要更一步降低,LC tank之Q值要求亦更高,将是单芯片整合最大挑战。
由phase detector、VCO、prescaler组成的phase-lock loop (PLL) frequency synthesizer提供可程序稳定频率作为混波、解调/调变之用,其主要特性参数为phase-noise、power consumption、lock-up time;高速BiCMOS可为PLL设计作最佳组合,bipolar用来设计高速(2.5 GHz)、低电流(< 4mA)的prescaler,CMOS则用在低功率divider和charge-pumps上,虽然0.35 um以下CMOS号称可完全取代BiCMOS,但bipolar所具有极高的transconductance,使其用于prescaler的输入信号仅须50 mVp-p swing,比起CMOS需要大于400 mVp-p小很多,因此综合考虑下其performance仍优于CMOS。另外PLL功能单元电路如charge pump、prescaler所产生noise亦会影响整体PLL phase noise,尤其close-in phase noise主要来自于这些电路,因此具有较低1/f noise bipolar组件在这方面仍较具优势。
3. Power Amplifier:
如同VCO一样,PA亦是不容易整合成单芯片的一个功能单元;目前常用PA模块是由高效率功率晶体管和分立高Q值被动组件组合而成,虽较易调整阻抗匹配以获得最佳功率输出,但比起作成单芯片PA,仍是成本较高,占太大空间更是不利;而单芯片PA目前最大问题还是无法有效整合高Q值(Q > 50) 、低损耗被动组件。
基本上,应用在RF IC产品的PA为Class-AB mode操作,以获得良好linearity、power-added efficiency (PAE),应用于此种型式PA的晶体管主要考虑的特性参数,包括功率输出最大频率(fMAX)、线性度(linearity)、崩溃电压(BVCEO - bipolar或BVGDS - FETs);在考虑崩溃电压和linearity时,bipolar组件比较不利,目前用在无线电通讯终端产品主要为GaAs MESFET或LDMOS,但在工作电压不断降低,高频bipolar崩溃电压的限制将渐渐消除,利用SiGe作成的PA已可作到65 % PAE、25 dB增益、2.0 mW/um2功率密度,在cellular产品应用上颇有竞争力。
高频/高速硅制程技术发展现况与挑战
早期无线电通讯产品是由庞大笨重、昂贵、耗功率的混合式零组件组成,但在可携式终端产品追求轻薄短小及普遍化的强烈需求下,能同时达到便宜、低功率、大产量的高度ICs整合化,无疑是最佳选择;但目前这类终端产品还是需要不少分立零组件(discrete component)来组合以达到系统规格要求,仍无法作高度整合,这可归纳成几个因素:(1) 尚无单一IC制程技术能同时满足无线电通讯产品所有功能单元需求;(2) 高效能被动组件(filter, inductor, capacitor)尚不易整合在Si 制程技术上;(3) 各个功能单元之间隔绝尚未完全克服。亦就是说为达到所谓“Single-Chip Radio”,系统架构、制程技术上尚需要作重大突破。
在Silicon-based RFICs技术中,RF CMOS在深次微米技术的开发浪潮下,尤其在"system on a chip"观念被提出之后,无疑是进展最快速和最具前瞻性的,但在MOSFET组件特性先天性的限制和系统整合成单一芯片的众多问题,未被解决之前,先由目前数个ICs组成核心架构中,利用电路设计改变与制程技术提升,逐渐提高频率范围和进一步整合周边分立零组件,其中BiCMOS技术不失为实际可行办法;底下将就上面陈述,分别由High Performance BiCMOS、RF CMOS、On-Chip Inductor (RF MEMS)来探讨制程技术发展方向。
1. High-Performance BiCMOS:
在深次微米CMOS技术逐渐涵盖所有数字逻辑IC趋势下,Analog BiCMOS则在另一澎渤发展的模拟混合式IC领域里扮演重要角色,尤其是在无线通信IC产品上;有别于digital,BiCMOS是将bipolar和CMOS组成逻辑闸运用,高频Analog BiCMOS则依功能区分为模拟和数字单元,模拟功能单元以高频特性较佳bipolar组件来设计,数字单元充份运用CMOS耗电省、密度高的特征,而达到整合性高的IC制程技术,因为强调bipolar组件的高频特性,此类技术亦称为High-Performance BiCMOS(HP BiCMOS)。
HP BiCMOS主要在提升bipolar的高频特性,基本上可从水平和垂直两个方向的缩小(scaling)来着手;水平方向除可藉由lithography的进展将design rule大小降低外,亦可祇从结构的改变 - single-poly non-self-aligned(SPNSA)演变到double-poly self-aligned (DPSA),利用extended poly-base contact和self-aligned特性来降低寄生电阻、电容,尤其是基极电阻和集极电容,对降低noise figure、提高fmax有很大帮助;垂直方向则作浅射极/基极接口,以降低基极宽度来提高截止频率,传统上是调变基极搀杂离子能量、浓度和射极回火温度、时间,但因制程宽限(process window)很窄,在获得浅基极接口宽度的同时,极易失之于表面E-B接口浓度过浓易造成隧通(tunneling)漏电,或失之于基极宽度内浓度过淡使得穿透(punchthrough)电压过低。
解决之道在于能作出类似箱形接口(box profile),以同时避免上述两个问题,磊晶基极(epitaxial base)技术已被初步验证可达到此目标,在世界各地展开这方面的广泛研究,尤其SiGe (base) bipolar更获得极大进展,可轻易作到fT > 50 GHz、fmax > 75 GHz、(NF)min < 1.0 dB,高频特性逼近GaAs MESFET。
以IBM的不同世代(design rules)SiGe BiCMOS的组件特性来看(表三),在0.18um技术中HP (High Performance)NPN组件的截止频率(fT)已高达120GHz,其相对Hi BV (High Breakdown)NPN fT约为30GHz,前者用来设计高频/高速电路,后者将用来作PA设计。
表三 不同世代IBM SiGe BiCMOS制程技术
Lithography |
μm |
0.5 |
0.25 |
0.18 |
NPN fT(Hi BV/HP) |
GHz |
28/45 |
28/45 |
30/120 |
NPN fMAX |
GHz |
50/60 |
50/60 |
50/100 |
NPN BVCEO |
V |
5.5/3.3 |
5.5/3.3 |
5.0/2.1 |
NPN Density |
Relative |
1x |
1.15x |
1.52x |
Emitter Width |
Μm |
0.42 |
0.3 |
0.18 |
NFMIN |
DB |
0.8 |
0.8 |
0.4 |
CMOS Supply |
V |
3.3 |
2.5/3.3 |
1.8/3.3 |
CMOS Pwr |
mW/MHz/gt |
0.3 |
0.1 |
0.03 |
CMOS Gate Delay |
ps |
90 |
50 |
33 |
CMOS Density |
relative |
1x |
4x |
7.5x |
BEOL M1 Current Density |
relative |
1x |
0.94x |
1.5x |
BEOL Metal |
Material |
Al |
Al |
Cu |
Source : IBM SiGe BiCMOS Technology [6]
2. RF CMOS:
RF CMOS最近一直有很多进展报导,分别从组件布局设计(folded gate)、多晶硅闸极电阻降低(polycide gate、“T”metal gate),显示在0.15 um 以下CMOS组件其高频特性已逼近、甚至超越bipolar组件;以Toshiba's 0.15 um RF CMOS为例,可达到fT = 42 GHz、NFmin = 1.4 dB (at 2 GHz)。但MOSFET有一先天限制,其noise figure反比于transconductance (gm),在低汲极电流时gm甚小,造成其NFmin远大于最低值;相对于bipolar组件要达到相同的noise figure,CMOS需要更高电流或更大面积来达成,对讲究低耗电的可携型无线电终端产品来说是一大不利,以发表的两个例子作比较,CMOS-only LNA需耗电20 mW以达到NFmin = 1.9 dB (工作于0.9 GHz, 2.7 V),而bipolar LNA仅需耗电3.8 mW以达到NFmin = 2.1 dB(工作于1.9 GHz, 1.9 V)。
另外为克服硅基材耗损大、高频隔绝差的的问题,RF CMOS/SOI亦渐渐被提出,如0.5 um T-gate CMOS/SOS作成的LNA,在工作于2.4 GHz频率耗电14 mW情况下,其NFmin可作到2.8 dB;又如0.7 um技术作成fractional_N PLL,工作于1.1 GHz频率耗电24 mW情况下其phase noise可作到75 dBc /Hz;其中耗电和噪声的改善主要得助于高阻值基材的隔离效果。
整个RF CMOS发展蓝图可由(表四)看出端倪,随着design rule逐渐缩小其fT、NF高频特性皆可逐渐提升,但如前所述其代价是要以较高power consumption来达到,将是RF CMOS最大限制。
《表四 RF CMOS发展蓝图〈数据源:Source : Hiroshi Iwai [7]〉》 |
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3. On-Chip Inductor (RF MEMS):
在无线通信电路中,被动组件(passive component)扮演着极重要角色,在很多单元里发挥调变功能(图六),是目前无法单芯片化的主要瓶颈;其困难处在于以硅制程技术不易作到低损耗(high-Q)的电感、电容、电阻,其中又以On-chip inductor最为棘手。
《图六 在无线通信架构中被动组件的角色 〈Source : Lucent's Presentation [8]〉》 |
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On-chip inductor应用于电路阻抗匹配(impedance matching)或VCO的LC tank,在减少外接分立零组件的要求下,扮演非常重要角色;不过长期以来其Q值都无法作高,主要受限于其值是正比于电感绕线所圈绕面积,但IC chip面积资源是有限的,无可避免要受到极大限制,因此需要其它的办法克服,目前作法大都是从减低其串联电阻和减少基材电磁损耗两方面着手,包括加厚金属层、多层金属层作连接并联、和挖空电感底下基材、垫厚底下介电质,但这些改善措施对Q值的提升仍有限,仅能达到5 ~ 20之间,其中Q值最高者同时利用半绝缘基材及加厚金属层,但比起Q值约为50 ~ 500的off-chip电感仍逊色不少。
更进一步改善on-chip inductor特性的方法一直在积极开发中,如3D coil inductor以电感线圈垂直于芯片有效降低对基材的电容和磁涡流损耗(eddy current loss),其Q值可达30以上;又如tunable inductor由交连的RF 和Drive两个线圈组成,利用两者的相位差调出适量偏移,可使电阻损耗大辐降低,以得到Q值近于2000的电感。
针对上述问题最近几年来有所谓的RF MEMS研发,利用MEMS技术在芯片上制作出高效能被动组件,涵盖inductor、tunable capacitor、switch、resonator,进一步单芯片化。
高频/高速电路设计发展现况与挑战
高频/高速的电路属于模拟/数字mixed-mode的设计,除需要有准确的主、动组件的高频模型参数,包括大、小信号及高频寄生效应,另外组件间拉线、功能单元间藕合效应,以硅芯片为基材来制作其效应更加严重,在设计时必需特别加以考虑。
底下将以几个实际产品来说明目前RFICs制程技术的状况,主要以BiCMOS为主,并和RFCMOS、III-V族作产品规格的比较:
National Semiconductor - 高整合度 DECT Radio Transceiver
整个DECT系统包括三个IC和多个分立零组件(discrete component),三个IC分别为GaAs power amplifier、BiCMOS RF Transceiver chip、CMOS baseband controller;RF次系统除两颗IC外还含有分立组件switch、filter、VCO、LNA。RF transceiver chip (LMX3161)高度整合mixer、IF amplifier、IF limiting amplifier、quadrature demodulator、RSSI、1 GHz PLL、regulator、freuency doubler等多种功能于一颗IC,为0.5 um BiCMOS (ABiC V)制程技术,属single-poly self-aligned bipolar结构,其截止频率fT = 18 GHz;应用于DECT系统上,在BER (Bit Error Rate) < 10-3,其灵敏度可达-92 dBm,符合系统规格(-86 dBm)要求。
Philips - 第二代 GSM / DCS-1800 芯片组
基本上RF部份除power amplifier、switch、filter、VCO外,全部整合成三颗IC (含LNA),分别为RF transceiver (SA1620)、IF I/Q transceiver (SA1638)、frequency synthesizer (UMA1019),属0.65 um BiCMOS (QUBiC 2)制程技术,bipolar为single-poly self-aligned结构,其截止频率fT = 20 GHz;其特点在于能相互切换提供GSM和DCS-1800两种模式的系统应用。
Harris (Intersil) / IBM- PRISM II chip sets for IEEE802.11 WLAN
整个chip sets包括五个ICs和多个分立零组件(discrete components) (图七),五个ICs分别为power amplifier with detector、RF/IF converter and synthesizer、I/Q mod/demod and synthsier、baseband processor with rake receiver and equalier、medium access controller,前三者属中、高频部份系以IBM 0.5um SiGe BiCMOS技术制作,结果远优于bipolar/CMOS/GaAs的hybrid方式,如成本、脚数降低2倍、动态范围增加4倍、传输速率增加5~6倍,其特性改善最主要得力于SiGe BiCMOS制程技术的运用。
《图七 PRISM II chip sets for IEEE802.11 WLAN》 |
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基本上,因为SiGe BiCMOS的优越高频特性及高度整合性,已吸引众多设计公司投入高频/高速产品的设计,尤其IBM更是与Alcatel、AMCC、Harris、Hughes Electronics、National Semiconductor、Nortel、Tektronix策略联盟,采取IBM's SiGe HBT/BiCMOS技术技术来开发众多高频/高速ICs,分别应用在Wireless、Networking、和Test-Instrument上,如(表五)所示。
《表五 设计公司与IBM策略联盟推出SiGe BiCMOS产品〈数据源:Source: IBM J. Res. Develop.) [1]〉》 |
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结语
高度整合的无线/光纤通讯RFICs无疑是今日ICs技术最大挑战之一,在全球各地积极研究发展下,已将各个功能电路单元整合的限制逐渐排除,达成低成本的单芯片目标指日可待;选择合适制程技术来实现高度整合的RFICs,除了需要考虑各个关键单元的效能外,最后产品的价格、推出的时间更是决定因素。
如前所述RFICs产品最终的考虑应是经济因素,能以最低成本和最快时间将产品推出市场的将是最大赢家;CMOS以百倍于高速Bipolar、GaAs的产值在急速发展中,如果其高频特性能更进一步验证可有效应用于RFICs上,甚至媲美高速Bipolar、GaAs,则挟其巨大产能所带来成本效益,将是RF CMOS全面介入RFICs领域的时候。
不过,在CMOS高频特性的先天限制未完全克服之前,RFICs仍然是以GaAs和Bipolar技术为主;目前在2.5 GHz以下已有很多Bipolar (BiCMOS)产品商品化,包括chip set、single-chip transceiver,在成本考虑之下已有逐渐取代GsAs的驱势,而且在Bipolar技术不断提升之下,如SiGe HBT高频特性的改善,其应用频率已可涵盖到5.0 GHz,甚至更高,应用范围将更加广泛;如果被动组件高频特性能进一步提升,整合能力的加强,将使RFICs 芯片组更加简化,成本的降低、效能的提高都会获得实时的改善。
最后,认为在Bipolar高频特性不断提升情况下,强调Bipolar高频特性的High-Performance SiGe BiCMOS应是目前最实际可行、有效办法,以达到同时可兼顾高频特性和高整合度的要求。
〈参考数据:
(1). B. B. Meyerson, "Silicon:Germanium-Based Mixed-Signal Technology for Optimi- zation of Wired and Wireless Telecommunication", IBM J. Res. Develop., Vol44-3, May 2000, pp.391-405
(2). M. Muraguchi, "RF Device Trends for Mobile Communications", Solid-State Elect- ronics, Vol.43-8, Aug. 1999, pp.1591-1598
(3). C. A. King, "SiGe Bipolar Transistors foe High Speed Optical Networking and Wireless Communication Applications", Jul. 2000
(4). L. E. Larson, "Integrated Circuit Technology Option for RFIC's - Present Status and Future Directions", IE3 SC-33-3, March 1998, PP.387-399
(5). D. Harame, "Status and Trends of SiGe BiCMOS Technology", Jan. 2002
(6). H. Iwai, "Next-generation RF Silicon Device Technology for Mobile Tele- communication", SPIE, Vol.3891, 1999, pp.10-19〉