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DRAM市场迈入空前的低潮
 

【作者: 吳秉思】2001年10月05日 星期五

浏览人次:【10162】

2001年电子产业的不景气,使半导体跌落谷底,自然地也重创内存市场,由于供过于求十分严重,使平均单价急遽下滑,内存的主要业者几乎都难逃亏损的命运。尽管内存业亟欲分散内存市场,但是新兴应用市场短时间内仍无法扮演救火的角色。于是内存业者将走入少数业者得以幸存的局面,尤以DRAM最为明显。预料2001年DRAM市场将较2000年萎缩50%以上。(图一)以128M SDRAM的合约价为例,在2001年短短的半年,就从604美元跌落至1.8美元(表一),任何技术再好,会懂得成本控制的公司,却不堪承受这种价格剧烈下跌之变动的压力。


DRAM业者于是纷纷降低资本支出,以度过此一寒冬(表二)。此一现象有助于缓和业界总体产能的增加,但这并不够,还得需要刺激需求,方能一方面减少业者的库存压力,亦有助于价格的回稳。DRAM需求的动力有二,一是本自PC出货量的增加,二是内存平均搭载容量的增加。在2001年下半年之后,业界极力欲运用数个主题来营造有利于上述两者的环境,即Pentium 4 CPU的全面登场,以及Windows最新版本Windows XP的上市。


在2001年8月,Intel总裁贝瑞特来台,极力哄抬pc后势发展;复加上威盛推出支持Pentium 4的芯片组P4X266,大有凝造PC从谷底翻身的气氛。多少带给DRAM的胛求增加带来想象的空间。


《图一 全球DRAM市场预测》
《图一 全球DRAM市场预测》
《图二 DRAM的市场区隔》
《图二 DRAM的市场区隔》

2001年M市场创下1994年以来最低

实际上,上述事件对于PC和DRAM需求的刺激,并无任何帮助,只是在PC版图内斗争的一种现象,加速新旧产品的交替,却没有市场扩大之效。2001年中旬可以来发展的DRAM市场预测均指向-50%以上的衰退,自1994年以来,同时创下负成长最大和市场规模最小两项记录。上一次DRAM市场的峰值发生在1995年,翌年有大幅的衰退,幅度也只有40%,且市场总值尚有250亿美元,还高于2001年的120-140亿美元的预期。DRAM市场的确是一年不如一年,其老化或饱和的程度发生太快,超乎业界的想象。这种低潮似乎也明显掩盖了新PC技术崛起的光芒。以往PC技术的变革,不论是CPU或外围设备,都伴随着新应用,还常能引起市场热烈的回响,然而此次新的技术引进,不管是DDR或DRAM高速DRAM,或者更强有力的Pentium 4 CPU,都和应用脱节,自然失焦的现象就非常严重了。


表二 DRAM业者资本支出预测

 

1994

1995

1996

1997

1998

1999

2000

2001E

2002E

Samsung

800

1600

2386

1640

1087

2500

3045

2150

2500

Micron Technology

451

1076

1188

644

1000

1023

1365

1811

1000

Toshiba

681

1089

1075

810

320

430

400

200

200

NEC

1868

1912

1678

1326

1200

870

400

400

400

Nanya Tech

0

0

343

224

175

640

666

259

435

Siemens (Infineon)

562

1212

1642

749

441

595

884

1071

731

Hitachi

1126

1654

1459

1073

400

480

400

200

200

Winbond

74

500

192

392

610

614

410

166

529

Mitsubishi

681

1089

1075

810

320

430

200

200

200

Fujitsu

1000

1725

1767

1505

640

350

0

700

500

Elpida

0

0

0

0

0

0

500

700

0

Promos Mosel

70

170

336

737

328

186

176

569

227

Tech Singapore

100

430

520

105

100

200

250

200

200

Vanguard

0

300

357

242

200

82

179

106

118

Powerchip

0

200

602

178

229

207

311

120

0

Oki

245

432

416

307

110

120

120

120

0

LG Semicon

600

1360

1932

826

256

400

0

0

0

ASMI

200

450

390

234

137

169

0

0

0

Total

8258

14789

16968

12442

8290

9370

10507

9937

9129

% YoY

62.3%

79.1%

14.7%

-26.7%

-33.4%

12.3%

12.9%

-5.4%

-8.1%


Windows XP 刺激市场效益有效

在PC未来出货量预期低于两位数字的情况下,业界非常渴望Windows XP在2001年秋上市之后,能发挥大幅驱动PC搭载容量的效应,Windows XP的诉求在于宽带化的操作系统,强调动态影像的应用,需要极大的主存储器,最低128M;能充份发挥效果得需要256MB。既有的PC若欲提升至Windows XP,势必增加DRAM容量,问题是经济情势不佳,在PC相关的IT投资大幅削减,升级至Windows XP的意愿恐怕不高。再者,Windows 2000系统至今仍不稳定,更遑论Windows XP了。Windows 2000对主存储器容量的要求太大,已使PC用户却步,恐将延长Windows 98的寿命,Windows XP的被接受,恐要在2002年以后。最近部份证券公司再度调降2001年PC出货量的成长率,华宝证券从5%降至2%,JPM Morgan则修正为零成长。


Pentium 4 或者占一型式的高速DRAM组合,实质上并无刺激市场之效,而是一个没有什么成长的PC市场内,各对手内斗所利用的工具。从各个迹象显示,2001年下半年,PC的景气依然低迷。Infineon曾表示2001年的开学潮的刺激不易发现。事实上,此一现象在2000年就发生过了。不少证券分析公司亦观察到第三季的景气甚至有可能比第二季差。Microsoft、IBM和Apple都已承认第三季业绩可能比第二季下滑。


表三 2001年DRAM市场占有率预测

排名

业者名称

占有率

1

三星

22.9%

2

Micron

20.4%

3

Hynih

18.9%

4

Infineon

9.4%

5

NEC

6.4%

6

东芝

6.3%

7

日立

3.7%

8

三菱

2.7%

其他

9.3%


2002年下半年方有回温可能

DRAM市场状况依然低速,固然是PC需求持续往下探低所致,一线DRAM制造商不愿减产,以住占有率方是主因。Hynix虽已停止Oregon州的产线,减产幅度却只有10%;东芝业已准备减产,对象却是需求量不高的RDRAM。合计超过四成占有率的三星和Micron迟迟不愿减产,方是dram价格难以回稳的原凶。(表三)不管是Peutium 4,RDRAM或DDR、Windows XP,不但一切利器都用了,仍无助于PC市场的扩产,业者不自制的动作更使情势日益恶化。


业界反过来希望产量的减少,才能回市场正常的状态。由于业绩恶化,设备投资急速削减,使DRAM业界在先进设备的投资上减缓。另一方面,从0.25mm到0.18mm的微细化,已让业界吃足苦头。0.18mm到0.15mm以及0.10mm到0.13mm则同样面临严峻的考验。DRAM微细化最不遗余力的急先锋三星,原预定在2002年第二季迈入0.13mm,现已有延缓此议的说法。业界在微细化的脚步迟缓,将有助于提早结束供过于求。业界判断2002年下半年之后,将可明显获得改善,价格可望回复上涨。


表四 异步型携带式设备用DRAM规格

厂商

富士通

日立

NEC

韩国三星

Seiko Epson

Sharp

名称

FCRAM

Asynchronous PSRAM

UtRAM

VSRAM

SmartcomboRAM

容量

16M bit

32M bit

16M bit

32M bit

16M bit

16M bit

外形

1M × 16 bit

2M × 16 bit

1M × 16 bit

2M × 16 bit

1M × 16 bit

1M × 16 bit

运转电量

20M a

未公布

最大 35m A

最大 25M a( 标准 18m A)

15M a

标准 25M a(25oC 下 ) 最大 30M a

待机电量 (data 保持 )

最大 70uA(+85oC 时 )

约 30uA(+25oC 时 )

最大 100uA

最大 200 uA( 标准 150 uA)

50 uA

标准 65 uA(+25oC 时 ) ,最大 30uA

待机电量 (data 不保持 )

最大 10uA

约 1uA(+25oC 时 )

最大 10ua( 标准 5Ua)

10ua

最大 10uA

 

动作电压

+2.7V~+3.1V

+2.5V 、 +3.0V

+2.6V~+3.0V

+2.7V~+3.3V

+2.35V~+3.0V

+2.7V~+3.3V

时间

90ns

70ns

80ns

100ns

85ns

90ns

包装

48pin FBGA

未公布

48 pin FBGA

Flash EEPROM 积层品提供

外型尺寸 6m m × 9m m × 1.2m m

Flash EEPROM 积层品提供

出货时间

出货中,量产规模: 2001 年 3 月时,月产 200 万个

2001 年后半样品出货

出货中,量产规模, 2001 年 4 月时,月产 100 万个

样品出货中,量产于 2001 年下半期

样品出货中,量产于 2001 年 8 月

样品出货中, 2001 年 7 月末,月产 60 万个,量产未定


业界致力分散市场,初期效果不大

追溯此次DRAM市场的不振,和过去的景气循环跌落谷底的成因并无不同,都是投资过剩,供过于求导致平均价急剧下跌。只不过此次收创的程度大过于从前。以后每年的DRAM总位需求量成长,即使在市场不好状态下,起码可维持80%,最坏则为50%,2001年却可能只有40%。DRAM需求的疲软发挥了助长恶化的作用。


DRAM业界基于以上的教训,莫不寄望复兴应用市场的崛起,得以分散PC市场,依Elpida的估计,以位数计算,在2000年时,PC占了65%,可是到了2004年将只剩下53%,服务器/工作站和移动电话手机等通讯、信息装置将是未来DRAM消耗量增加最快的应用。(图二)实际上DRAM业界已着手开发特殊应用DRAM,(表四、表五),以区隔PC之内存市场,创造较佳利润空间。只是手机要到2.5G和3G才会使用到DRAM,且容量不大,在短期内仍难创造够大的市场。故只有少数规模够大的DRAM业者,方能在未来生存下去。这即是为何在Motorola、TI等相继退出市场,NEC和日立将DRAM部门独立出去,另成立合资企业Elpida之后,在2001年8月又传出东芝考虑卖出DRAM部门给三星或Infioeon的原因。


表五 同步型携带式设备用DRAM规格

厂商

Infineon

Micron

三菱

Oki

名称

Mobile-RAM

BAT-RAM

LP-SDRAM

未定

容量

128M bit

64M bit

64M bit/ 128M bit

64M bit

外形

8M × 16 bit

2M × 32 bit 4M × 16bit

4M × 16bit/ 8M × 16bit(16bit 产品检讨中 )

4M × 16bit

运转电量

未公布

35m A

50m A

75m A

待机电量 (data 保持 )

650uA ~ 700uA

350uA

300uA( 64M bit)

200 uA

待机电量 (data 不保持 )

10uA

10uA

10uA( 64M bit)

1ua

动作电压

Cell +2.5V , I10+1.8V

+3.3V/+2.5V

+2.3V~+2.7V +2.7V~+3.0V

+2.0V

时间

未公开

8ns

10ns

15ns

外型尺寸

8m m × 9m m

9m m × 13m m

-

检讨中

包装

54 端子 FBGA

90 端子 FBGA

-

检讨中

出货时间

2001 年第 2 四半期样品出货, 2001 年未量产

+3.3V 动作品,量产中, +2.5V 动作品 (2001 篙二四半期量产 )

2001 年 7 月 64M 样品出货量产于 2001 年第四期后半

2001 年第 4 四半期样品出货, 2002 年第 1 四半期量产

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