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创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度
多柱型零磁场闸极辅助SOT-MRAM元件

【作者: imec】2023年04月17日 星期一

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要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体(SOT-MRAM)用来作为底层快取(LLC),目前面临了三项挑战;微缩性、动态功耗,以及可供量产且尺寸紧凑的零磁场磁矩翻转技术。比利时微电子研究中心(imec)在2022年IEEE国际电子会议(IEDM)上提出一套创新的SOT-MRAM架构,能够一次解决这些挑战。


近年来,SOT-MRAM技术的开发热度在半导体业攀升。SOT-MRAM是一种非挥发性记忆体,具备优良性能,适合用来当作嵌入式记忆体,例如高效能运算与行动装置的三级(L3)与四级以上快取记忆体。目前的快取记忆体通常采用具备极速读写能力的挥发性SRAM元件。


然而,由於微缩限制,SRAM难以持续扩充位元密度,使得开发人员不得不寻求替代元件。此外,在非运作状态下,SRAM储存单元的散热问题越来越严重,导致待机功耗增加。MRAM等非挥发性记忆体不仅有??缩小储存单元的尺寸,利用其非挥发性,还能解决待机功耗的问题。
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