近几年太阳能发电系统和产业用各种电源装置、电动汽车、家电等功率电子领域，为了能藉由提升功率转换效率，进而节能，市场需求效率更高、更好的功率元件。 SiC元件的材料物性比传统的Si元件还要好，已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置，电源上使用SiC-SBD产品，就能充分发挥该产品的高速回复特性，运用在PFC电路后，可望进一步提升装置的效率。而在上述用途之中，最重要的莫过于突波电流的耐受量了。ROHM半导体的SiC-SBD产品进一步扩大应用范围，采用了新的元件构造，成功研发出最低VF值的特性，同时又具高突波电流耐受量的产品。

图1

ROHM半导体针对伺服器和高阶电脑等的电源PFC电路，研发出最适合的第3代SiC（Silicon Carbide：碳化矽）萧特基二极体（以下称为SiC-SBD）「SCS3系列」。本产品采用全新的构造，保持前代SiC-SBD最小顺向电压（VF=1.35V、摄氏25度），同时又可以确保高突波电流耐受量。如此一来，就能够运用在伺服器和高阶电脑等的电源PFC电路上，进而提升应用装置的效率。

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技术特色
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