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科技
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從單一控制到整合應用──淺論晶片組的發展歷程

高度整合的晶片組不過是這幾年才發生的事,如果說CPU是電腦的腦部,Chipsets就可算是電腦的心臟了。
英飛凌2024年第一季度業績表現強勁 營收達37億歐元 (2024.02.17)
英飛凌 2024 會計年度第一季營收 37.02 億歐元,部門利潤達 8.31 億歐元,利潤率為 22.4%。2024會計年度第二季展望:基於1歐元兌換1.10 美元的假設匯率,預期營收約為 36 億歐元
英飛凌GaN功率方案助歐姆龍實現輕小車聯網充電系統 (2024.02.05)
英飛凌科技與歐姆龍社會解決方案公司合作。結合英飛凌氮化鎵(GaN)功率解決方案與歐姆龍的電路拓樸和控制技術,賦能歐姆龍社會解決方案公司實現了一款車聯網(V2X)充電系統,這是尺寸小,同時重量輕巧的系統之一
意法半導體碳化矽技術為致瞻提升電動汽車車載空調控制器效能 (2024.01.30)
意法半導體(STMicroelectronics;ST) 宣布與聚焦於碳化矽(SiC)半導體功率模組和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作,為其電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽(SiC)MOSFET技術
英飛凌與SK Siltron CSS簽訂新碳化矽晶圓供應協議 (2024.01.14)
英飛凌科技宣布,與碳化矽(SiC)供應商 SK Siltron CSS 簽訂協議。根據協議,SK Siltron CSS 將提供高品質的 6吋 SiC 晶圓,用以支援 SiC 半導體的生產。在後續階段,SK Siltron CSS 將在協助英飛凌過渡到 8 吋晶圓方面扮演重要角色
安森美與理想汽車續簽協議 供應高性能SiC解決方案 (2024.01.09)
安森美(onsemi)宣佈,和理想汽車(Li Auto)續簽長期供貨協議。理想汽車在其增程式電動車型(EREV)中採用安森美成熟的800萬像素影像感測器。此協議簽訂後,理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中採用安森美高性能EliteSiC 1200 V裸晶,並繼續在其未來車型中整合安森美800萬像素高性能影像感測器
意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽(SiC)長期供貨協議,而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET,支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略
ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2024.01.02)
隨著全球能源需求於2030年預計將增長30%,同時碳排放量目標擴大至減少45%(控制全球暖化在攝氏1.5℃以內),再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前,人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭,但現在人們轉變思維,更注重人類在地球上的永續生存方式
Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件 (2023.12.28)
Transphorm與Weltrend Semiconductor(偉詮電子)合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A,在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率
TI:擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器(TI)擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合,旨在協助提升功率密度、最大化系統效率,以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合,可解決常見的散熱設計挑戰,讓供應器維持低溫,同時以更小的體積推動更大功率
蔚華與南方科技合作非破壞性SiC檢測系統 搶攻化合物半導體商機 (2023.11.28)
蔚華科技與旗下數位光學品牌南方科技合作,共同推出業界首創的JadeSiC-NK非破壞性缺陷檢測系統,採用先進非線性光學技術對SiC基板進行全片掃描,找出基板內部的致命性晶體缺陷,用以取代現行高成本的破壞性KOH(氫氧化鉀)蝕刻檢測方式,可提升產量並有助於改善製程
意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)電晶體閘極驅動器,新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸,同時降低物料清單成本,能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求
英飛凌完成收購GaN Systems 成為氮化鎵龍頭企業 (2023.10.25)
英飛凌科技宣佈完成收購 GaN Systems 公司。這家總部位於加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批,交易結束後,GaN Systems 已正式成為英飛凌的一部分
羅姆集團馬來西亞工廠新廠房竣工 強化類比IC產能 (2023.10.25)
半導體製造商ROHM為了加強類比IC的產能,在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics(Malaysia)Sdn. Bhd.(以下稱 RWEM)投建了新廠房,已經於近日竣工並舉行了竣工儀式。 RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品,新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器(類比IC的重點產品之一)
格棋化合物半導體掌握碳化矽晶體成長技術 完成A輪募資新台幣15億元整 (2023.10.24)
掌握碳化矽(SiC)單晶晶體成長技術、同時具備6吋和8吋晶體製程能力的新創公司格棋化合物半導體股份有限公司(GCCS)宣佈,近期成功完成新台幣15億元的A輪募資,並將持續投資先進晶體研發與製程優化技術
PI以IC顛峰效率為aCentauri太陽能賽車隊執行關鍵任務功能 (2023.10.23)
Power Integrations這家節能功率轉換之高壓積體電路領域的領導廠商,將為 aCentauri 車隊提供先進的 PowiGaN 氮化鎵 (GaN) 技術、專家設計支援和財務贊助,協助他們參加本月下旬舉辦的 3,000 公里普利司通世界太陽能車挑戰賽
英飛凌與英飛源合作 拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽(SiC)的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢,為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日,英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作
英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ,擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候,不僅提供最大的靈活性,還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能
宜普:氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 (GaN)技術在各產業中扮演起重要的角色,中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外,中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司,並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展
英飛凌於馬來西亞興建全球最大8吋SiC晶圓廠 2030年貢獻70億歐元 (2023.08.03)
英飛凌科技宣布,將大幅擴建馬來西亞居林 (Kulim) 晶圓廠,繼之前於 2022 年 2 月宣布的投資計劃之外,將打造全球最大的8 吋碳化矽(SiC)功率晶圓廠。支持這項擴建計畫的動能,包含了約 50億歐元在汽車與工業應用的design-win案件,以及約10億歐元的預付款
安森美和麥格納簽署策略協議 投資碳化矽生產 (2023.07.30)
安森美(onsemi)和麥格納(Magna)達成一項長期供貨協議,麥格納將在其電驅動(eDrive)系統中,整合安森美的EliteSiC智能電源方案。麥格納是一家行動科技公司,也是全球最大的汽車零組件供應商之一

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