根据摩尔定律，晶体管的密度大约每两年就会倍增，功能与效能攀升、成本则随之下滑。在过去40多年来，摩尔定律已成为半导体产业的经营圭臬，为了避免微缩过程遭遇物理极限，半导体产业无不致力于研发新的材料。2007年起，45奈米、32奈米制程开始使用高介电金属闸极（High-K Metal Gate），取代先前的硅煮应变硅晶（SiGe Strained Silicon）。而最新的22奈米制程，就是采用立体三闸晶体管（3-D Tri-Gate transistors），来对抗物理极限。

增加密度秘方：晶体管垂直排列

《图一 立体三闸晶体管结构图。 》

一如其名，立体三闸晶体管技术的最大特点，就是将原先的平面闸极改为硅晶薄片，垂直附在硅基板的表面。Intel资深研究院士Mark Bohr表示，传统平面晶体管只有在顶端处的一个闸极，改成薄片后，则可在顶端之外的两侧各再增置一个闸极。由于晶体管薄片为垂直排列，彼此间的距离得以缩小、藉以提升密度，从根本面破除摩尔定律在2D晶体管不断微缩所面对的极限。
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