高亮度LED（High-brightness Light Emitting Diodes；HB LED）的出現，在照明產業中掀起了一股狂潮。相較於傳統的白熱燈泡，HB LED因具備了更省電、使用壽命更長及反應時間更快等主要優點，因此很快的搶佔了LCD背光板、交通號誌、汽車照明和招牌等多個市場。

HB LED的主導性生產技術是InGaN，但此技術仍有一些瓶頸需要克服，目前掌握前瞻技術的業者紛紛針對這些瓶頸提出新的解決方案，希望能進一步拓展HB LED的市場。這些瓶頸中以靜電釋放（electrostatic discharge；ESD）敏感性和熱膨脹係數（thermal coefficient of expansion ；TCE）為兩大議題，其困難如下所述：

熱處理（Thermal Management）：

相較於LED 晶粒（die）的高效能特性，目前多數的封裝方式很明顯地無法滿足今時與未來的應用需求。對於HB LED的封裝廠商來說，一個主要的挑戰來自於熱處理議題。這是因為在高熱下，晶格會產生振動，進而造成結構上的改變（如回饋迴路變成正向的），這將降低發光度，甚至令LED無法使用，也會對交錯連結的封入聚合體（encapsulating polymers）造成影響。

僅管一些測試顯示，在晶粒（die）的型式下，即使電流高到130mA仍能正常工作；但採用一般的封裝後，LED只能在20mA的條件下發光。這是因為當晶片是以高電流來驅動時，所產生的高熱會造成銅導線框（lead-frame）從原先封裝好的位置遷移。因此在晶片與導線框間存在著TCE的不協調性，這種不協調性是對LED可靠性的一大威脅。

靜電釋放（ESD）：

對電子設備的靜電損害（Electrostatic damage；ESD）可能發生在從製造到使用過程中的任何時候。如果不能妥善地控制處理ESD的問題，很可能會造成系統環境的失控，進而對電子設備造成損害。InGaN 晶粒一般被視為是"Class 1"的設備，達到30kV的靜電干擾電荷其實很容易發生。在對照試驗中，10V的放電就能破壞Class 1 對ESD極敏感的設備。研究顯示ESD對電子產品及相關設備的損害每年估計高達50億美元，至於因ESD受損的LED則可能有變暗、報銷、短路，及低Vf （forward voltage）或 Vr（reverse voltage）等現象。

以Submount技術突破瓶頸

為了突破這些InGaN LED瓶頸，CAMD公司提出一項特殊的解決方式。採用與醫學用生命支援設備相同的技術，CAMD發展出一種矽載體（Silicon Carrier）或次黏著基台（Submount），以做為InGaN晶片與導線框之間的內部固著介質；當透過齊納二極體（Zener Diodes）來提供ESD保護的同時，這種Submount設計也能降低TCE不協調性的衝擊。

《圖一　 Silicon Submount架構上視剖析圖》

(圖一)顯示一個基本矽材質Submount如何將兩個焊球與覆晶LED接合在一起的情況，在球體區域所見到的不同顏色圓圈是用來保護LED免受ESD損害的二極體架構。此架構除了能安全的抵銷高達30kV的接觸放電，更超過IEC61000-4-2國際標準對最大值的要求。矽材質與焊球扮演著振動吸收器，以疏緩熱膨脹效應。

這樣做還有一些明顯的好處：以Submount粘著焊球，可以使LED晶粒緊密地與Submount接合在一起，再經由打線連接到導線框。這種方式能降低因直接打線到LED晶粒所產生的遮光影響。

在圖一所示的Submount兩邊都有綠色的矩形區域，這是打線的區域。此外，因為Submount是一個光滑的矽表面，其上是鋁金屬層，因此能將一般損失掉的光度有效的反射出去。圖一中的覆蓋了大部分Submount的藍色區域，即是高反射性的鋁金屬層，它的作用猶如LED的一面反射鏡。

在LED的背面一般以金覆蓋，以提供最佳化的熱傳導，以及晶片與導線框、銅散熱器的高度接合度。

《圖二　 LED/Submount 封裝方案側面剖析圖》

(圖二)顯示此一解決方案的完整封裝結構，其中LED晶粒與Submount上頭的焊球接合，此一次組合被鑲嵌在整個LED 封裝中；Submount再打線到導線框，以供電給LED。這個矽Submount只有10-mils的厚度，這樣才能發揮最大的熱傳導效能，讓LED的高熱很快地經由此封裝設計傳到散熱器上頭。

結論

HB LED已開始取代消費性及工業應用的傳統照明解決方案，但要讓LED發揮最大照度，仍得克服一些瓶頸，例如在高熱下，封裝晶格會振動甚至遷移，以及因ESD的損害而讓LED有變暗、報銷及短路等現象。本文所提到的Submount封裝技術，可以有效的解決LED發光、散熱及導電等問題，並能提供ESD保護，是一個值得推廣的解決方案。

(作者任職於California Micro Devices Corp.)