在半導體製程進入奈米等級之後，我們一方面要求半導體的線徑不斷縮小，一方面又要不斷提昇IC上電子的遷移率，以提昇晶片的運算能力，但是以目前的製程技術看來，似乎已經慢慢走到極限，而發展SOI（絕緣層上覆矽）製程IC生產用薄膜基板供應商的Soitec，對於可以提昇晶片效能與降低耗電率的SOI製程，有把握可以將摩爾定律在奈米時代繼續延續下去。

SOI技術其實在許多年前就已經被人提出，而由IBM成功將其商業化，Soitec在SOI製程薄膜基板的市佔率超過80％，Soitec資深行銷業務副總裁Michael Wolf表示，利用SOI製程，可以讓晶片效能提昇30％，並降低2～3倍的耗電率，該公司發展的Smart Cut技術甚至已經逐漸成為全球SOI製程的業界標準，目前Soitec生產8吋晶圓的一廠產能年出貨量可達到80萬片，因應12吋晶圓的發展趨勢，明年將進入量產的二廠完全量產後，年產量更可以提昇到200萬片12吋晶圓。

Michael Wolf進一步強調，利用Soitec的Smat Cut技術，該公司提供適合不同應用的產品，包括：薄膜與超薄膜型SOI產品，支援高速、低電壓、低功耗需求產品，如微處理器與無線通訊晶片；厚膜型SOI產品，需求高電壓、高溫環境的光電元件與MEMS/MOEMS元件；SOQ（Silicon On Quartz）晶圓，是細薄的單晶型薄膜，應用在需要高電阻的透明基板。

在現今電子產品，尤其是可攜式裝置要求高效能、低功耗與低待機電壓的功能下，SOI製程晶片可以讓可攜式設備提昇20％～40％的效能。SOI製程晶圓的製作過程是在矽晶片上先覆上一層氧化層，再將其倒覆在另一個空白矽晶圓上，然後利用化學蝕刻的方法將原來晶圓上的矽晶與氧化層分離，覆有絕緣氧化層的晶圓就是SOI晶圓了，另外，原來被分離開的矽晶圓還可以繼續利用，重複上述步驟，可讓用作絕緣層上矽的晶圓有最徹底的利用。

從1992年該公司成立初期到1999年的這段時間，可以說是Soitec的練功期，Michael Wolf說明，由於市場對於高效能的SOI製程技術需求並不迫切，加上技術還未完全成熟，所以這段時間該公司營收的年複合成長率（CAGR）只有30％左右；但從1999年起到2002年，因為該公司一廠產能完全開出，配合市場需求的成長，Soitec的年營收複合成長率高達100％，目前其客戶多為具有先進製程與產品的國際IDM大廠，包括AMD、IBM、Motorola、ST、Philips等。

近兩年台灣晶圓雙雄的表現越來越出色，包括台灣的亞太地區也逐漸成為全球般導體製造中心，所以Soitec相當看好台灣半導體市場在SOI製程上的發展潛力，Michael Wolf認為，儘管目前台灣半導體製造業者採用SOI製程的比重仍低，但在晶圓代工模式底下，國際大廠逐漸將高階製程的產品訂單釋出，代工廠只要被客戶要求就會導入SOI製程技術，重點是在導入的過程中，生產線並不需變動，只需將熱處理設備做部分更動即可，所以對廠商原來生產方式的衝擊相當低。

《圖一　Soitec資深行銷業務副總裁Michael Wolf》