符合成本效益的PC匯流排技術探微
【作者: Ronnie D. Hughes】 2004年05月05日 星期三
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舊式個人電腦的串列埠、平行埠、鍵盤控制器、軟碟控制器及其他類似的輸入/輸出介面大都採用離散式電路;科技的進步大幅提高晶片的效能,令 SuperI/O(SIO)晶片不但可以將這些功能整合一起,而且還可為系統的電源供應添加關閉及喚醒控制功能。SIO 晶片已成為萬能的邏輯晶片,可為各種不同的系統功能提供支援。原本由系統晶片組支援的舊式功能都可改由 SIO 晶片支援,直到這些舊式功能完全淘汰為止。ATA 由平行方式過渡至串列方式便是一個好例子。晶片組已不再支援平行 ATA 介面。這種平行 ATA 介面功能暫時仍由 SIO 提供,一旦平行 ATA 驅動器完全被淘汰,SIO 便不再提供這種介面。
由於處理器的效能不斷提升,令系統功耗不斷增加,因此系統必須加設熱能監控及扇速控制功能,部分系統更需要加設電壓監控功能。初時,這些功能都由離散電路提供,這類晶片一直利用 I2C 或 SMBus 介面 1,2 傳送資料。但為了節省成本及縮小體積,系統設計工程師不得不改用 SIO,以便將這些功能整合一起。若要有效監控中央處理器的遠程熱二極體及電壓幹線,便需要採用類比混合訊號電路。SIO 晶片已改用混合訊號的設計,現在再將遠程二極體溫度介面、類比電壓輸入及不可缺少的類比數位轉換器等功能特色整合一起。
SOI晶片的新時代挑戰
目前的 SIO 晶片都透過低腳數匯流排與系統晶片組互相通訊。新一代的系統功能需要像 PCI-Express 這樣的標準系統匯流排為其提供支援,以便系統內各個不同組成部分可以相互通訊。許多舊式的功能如 PATA、USB 及 1394 已陸續改由 SIO 負責支援,而預期其他的舊式功能如 PCI-E 開關功能及 PCI-E 至 PCI 的橋接功能也會改由 SIO 負責支援。這個趨勢使 SIO 晶片不得不大幅增加其電晶體數目,晶片體積也因此大增。但 SIO 晶片必須採用更為精密的製程技術才可縮小晶片體積,降低生產成本,以及確保開關速度達到要求的水平。SIO 晶片採用的製程技術越精細,其數位系統便越能充分發揮其效能,但類比系統的效能則會大受影響。對於數位電路來說,製程技術越精細,所要求的晶粒便越小;如(圖一)所示。
《圖一 數位電路的晶粒體積與採用的製程技術成正比(單位:μ)》
但 0.25 微米以下的類比電路無需採用大幅縮小的晶粒,即使需要支援同樣的動態範圍,晶粒體積甚至加大也不成問題;如(圖二)。SIO 晶片的高速數位時鐘會產生基體雜訊,以致影響高靈敏度類比電路的效能。以遠程二極體溫度感應器為例來說,電位只要出現約 241(V 的轉變便會令溫度出現 1℃ 的變化 3。高速數位開關功能會很易產生大量雜訊。
《圖二 類比電路的晶粒體積不一定因為採用了更精密的製程技術而縮小(單位:μ)》
此外,用以測試混合訊號晶片的生產測試系統一般都比較慢,而且涉及的工序比純數位系統複雜,因此需要更先進的測試設備,令整合了類比電路的SIO 晶片成本上升。SIO 晶片通常裝設於系統電路板上靠近輸入/輸出連接器的位置,而這些連接器一般都裝設於底板上。根據大部分例子顯示,若採用這樣的設計,SIO 晶片便必須裝設於電路板上的另一面;換言之,與需要監控的混合訊號電路剛好設於相反的一面。這個設計的缺點是很難將類比訊號傳送到 SIO 晶片,而太長的線跡(trace)也很易感生雜訊,以致降低系統的準確性。
解決類比功能對SOI晶片電路造成之影響
SIO 晶片若加設可以監控系統狀態的類比功能,便會增加生產及測試成本,而元件佈局、系統電路設計及訊號的傳送路徑等也很難加以配合,何況還會影響系統的準確性及效能。因此必須採用全新的設計,將提供系統監控功能的類比與數位電路分開。
沿用一向採用的 I2C 或 SMBus 離散式感應器也是一個可行的方案,但這個方案雖然實際上可行,其效果並不理想。若採用 I2C 或 SMBus 介面,每一感應器便需加設大量數位電路,不但要加大感應器體積才可配合,而且設計也變得更為複雜,令感應器的成本增加。單以成本計,便不及採用較為簡單的介面那麼划算。此外,若採用軟體介面,由於不同的晶片採用不同的軟體,因此根本就沒有清晰的標準可以讓人知道系統軟體如何發現、辨認、配置及使用不同的晶片。
採用 I2C 或 SMBus 的系統也要面對一個現實的問題,那就是雜訊靈敏度的問題,因為晶片若對雜訊過於靈敏,會出現鎖定現象,而匯流排也會出現“故障”。若感應器應器屬於較舊的型號,這個問題尤其令人煩厭,因為舊式感應器一般都沒有時鐘濾波器。目前很多採用 I2C 或 SMBus 的系統都將匯流排分為多個不同區域,一旦某一匯流排出現“故障”,受影響的晶片可以減至最少。究竟如何才可確保經由 I2C 或 SMBus 傳送的訊號保持完整無缺?這是系統設計工程師需要面對的一個高難度的挑戰。
SOI設計實際案例介紹
理想的SOI設計解決方案必須有以下的功能特色:
˙類比感應器必須採用最優化的類比製程技術設計及生產;
˙感應器內只加設最少量的數位邏輯電路;
˙感應器/主控器介面只負責傳送最少量的訊號;
˙可以承受較多的雜訊干擾,而且採用可靠的匯流排恢復設計;
˙有多種不同晶片可供選擇,而且系統有隨時升級的靈活性;
˙採用物件導向的軟體架構,方便尋找、配置及使用晶片;
˙獲多家供應商支援的業內標準。
以美國國家半導體之SensorPath匯流排技術為例,這是一個全新的感應器介面標準;採用 SensorPath再將有關功能恰當分配給感應器及控制器,便可支援以上的種種功能,滿足系統的要求。SensorPath 匯流排是一個設計簡單的介面,符合這種介面標準的感應器可採用先進類比製程技術設計及製造,但負責收集及儲存資料並據此作出決定的一切必要的數位邏輯電路,則內建於全數位作業的晶片之中,例如 SIO 晶片或微控制器;如(圖三)所示。
《圖三 系統健康監控硬體的數位電路應內建於數位晶片之內》
SensorPath 介面標準可以支援異步與同步兩種不同的介面作業模式。異步模式只需一條單線的匯流排,便可將通常設於 SIO 晶片內的主控制器與多達 7 個從屬器連繫起來。同步模式會在主控器/從屬器介面之外再提供另一條時鐘線路。雖然這個標準可以支援同步模式,但異步單線作業模式才是正常及主要的作業模式,也是本文討論的重點;以下將會集中討論正常的異步作業模式。
電子介面
這個規格標準的電路部分採用單線匯流排介面的設計,如(圖四),而這種介面設有可以自我同步調節的脈衝時段調變(PDM)編碼電路。有關的電位與 SMBus 電位相同,邏輯低電位不超過0.8伏,而邏輯高電位則超過2.1伏。每一節點必須設有一個可在0.4伏電位接收400mA電流的汲極開路輸出級。匯流排也必須設有一個介於0.87k(至1.625k(之間的上拉電阻(典型電阻值為1.25k()。這個電阻可以由主控器提供,也可採用外接的上拉電阻。時脈的計算則以每一節點的360kHz時脈為準,誤差不超過 (15%。計算脈衝寬度及整體計時誤差時,會將主控器及從屬器之間可能出現的30%最高時鐘偏斜一併計算在內,也會將利用4mA電流吸收器及1.625k(上拉電阻驅動負載的影響一併計算在內(負載由每一接腳400pF以上驅動至10pF);上升及下降時間分別指定為 1000ns 及 300ns。
位元訊號傳輸及計時
位元訊號透過脈衝時段調變傳送。傳送每一位元訊號時,需要將訊號線路驅動至邏輯低電位,而匯流排的低電位訊號時段的長短決定哪一位元訊號會被傳送。位元訊號分為五類:資料位元0、資料位元1、起始位元、注意請求(Attention Request)及重設。以上五類位元訊號已按照其時段的長短由短至長排列,如(表一)。位元訊號都分別獲得分派一個脈衝時段,以確保傳輸量可以達到最高的水平。並不頻密的訊號會獲派較長的時段脈衝。若果匯流排上並無任何電路傳輸訊號,上拉電阻會將訊號線路拉至邏輯高電位。若果在11微秒((s)內(即 TINACT 時間)並無任何訊號傳輸,匯流排便視為閒置。每當匯流排由高電位過渡至低電位,位元訊號便會被啟動,時鐘會隨即為脈衝時段計時。每當匯流排回到邏輯高電位時,位元訊號便會終止。
《表一 有關位元訊號及其計時的標準參數》
位元訊號
最短時間 (S)
最長時間 (S)
資料位元 0
11.8
17.0
資料位元 1
35.4
48.9
起始位元
80
109
注意請求
165
228
重設
354
500 mS (只適用於從屬晶片)
只有匯流排主控器才可啟動資料位元訊號及起始位元訊號。此外,只有從屬器才可啟動注意請求訊號。在正常的情況下,從屬器只可在發現匯流排處於閒置狀態之後,才可啟動注意請求訊號;但從屬器若發出注意請求,主控器可能會啟動資料位元訊號或起始位元訊號。此外,不同的從屬器可以同時發出注意請求。由於注意請求訊號需時較長,令其時段超過其他位元訊號(重設訊號除外),因此主控器及所有從屬器都可偵測出已中斷的資料位元訊號或起始位元訊號。以這個情況為例來說,已中斷位元訊號可以不理,但必須由訊號發出者重發。
重設訊號可以由主控器或任何從屬器發出。重設訊號發出後,主控器便會發送一個時鐘調校序列訊號。從屬器可以選用這個序列訊號調校其內部計時基準,以符合(15%的時脈誤差。若從屬器本身的自發性時鐘一開始便符合規格要求,則無需調校其內部計時基準;不可利用這個時脈調校序列訊號將從屬器的作業頻率改為360 kHz以外的其他頻率,因為並非所有從屬器都可以這樣做。傳送一串穩定的“0”時,匯流排可以支援高達43.86 kHz的開關頻率,但傳送的資料內容若有改變,開關頻率也會隨著下降。
匯流排交易及訊息協定
訊息協定只界定三類匯流排交易或訊息:即匯流排重設交易、讀取交易及寫入交易。只有主控器才可啟動讀取或寫入交易,但主控器及從屬器都必須在通電後才可發出匯流排重設訊號。
匯流排重設是這三個交易或訊息之中最重要的一個。為了匯流排上的所有晶片著想,匯流排重設訊號必須置於有效的監控之下,而這個訊號也必須可以被匯流排上的所有晶片偵測。此外,每一匯流排上的晶片必須在收到重設訊號之後重設通訊介面。匯流排重設訊號只會重新設定有關晶片的通訊介面,不會影響該晶片的資料暫存器內容。系統通電後,主控器及每一從屬器必須保留匯流排重設訊號長達 354 微秒((s)以上。主控器可以不受時限地長久保留重設訊號,但從屬器則必須在通電後的500(s之內完成啟動及發出重設訊號。不管重設訊號由主控器還是從屬器啟動,總之重設訊號一旦發出之後,主控器必須發出8個連續的資料位元0訊號,以便從屬器將其時脈調校至與主控器同步,如(圖五)。有一點需要注意,無論如何不應在該8個資料位元0訊號發出之前傳送起始位元訊號。
《圖五 匯流排重設及由主控器驅動的時鐘調校位元訊號序列》
讀寫交易所涉及的過程大致相同,分別只在於讀/寫位元值的不同、傳送資料位元訊號時由哪一節點驅動匯流排、以及偶同位與確認接收位元訊號期間的不同,如(圖六)、(圖七)。計算偶同位位元訊號時會將所有位元訊號(起始位元除外)及確認接收位元訊號計算在內。
由於晶片位址長達3位元,因此匯流排可以支援7個從屬器。晶片位址0只供廣播訊息之用,以便為所有從屬器提供所需訊息。內部位址是一個6位元的資料欄,規定主控器可以進入從屬器內哪一暫存器進行讀/寫作業。
訊息協定規定讀/寫匯流排交易在完成後必須提供確認訊號。只有在從屬器接收到ACK這個確認接收位元訊號之後,讀取交易才可視為已經“完成”。若從屬器沒有收到ACK這個確認接收位元訊號,即表示有關交易仍未“完成”,從屬器便會設定其匯流排錯誤(BER)位元訊號,以及發出示警位元(Alert Bit)訊號。若主控器發覺ACK位元訊號已被中斷,例如剛通電的從屬器發出重設訊號,也不能視為主控器已“完成”交易。以這個情況為例來說,主控器沒有按正常程序完成內部作業。無論是哪一個情況,主控器的配置決定有關交易會否自動重新啟動。SensorPath 的技術規格並無規定主控器必須自動重新啟動未完成交易,也沒有規定不能重新啟動。
若主控器完成一項寫入交易後一直沒有收到從屬器發來的確認接收訊號,系統會作出類似以上的反應。換言之,只要主控器仍未收到確認接收訊號,與寫入交易有關的內部作業不能視為已完成。若從屬器發出ACK確認接收訊號時發現匯流排作業已被中斷,便必須設定其BER,以及向主控器發出注意請求訊號。一如前述,主控器的配置決定有關交易會否自動重新啟動。
工程師也許會懷疑,是否從屬器每次發覺讀/寫交易出現錯誤,便必定會發出注意請求訊號。但如果讀或寫交易正在進行中,而主控器就在此時發出起始位元訊號,從屬器便必須停止進行中的交易,改為開始另一新交易。以這個情況為例來說,從屬器便不會發出注意請求訊號。從屬器必須無限期等待主控器,直至主控器向其發出指定數目的讀/寫交易位元訊號。
比SMBus匯流排更優勝的防雜訊干擾能力
由於SensorPath匯流排採用位元訊號傳輸的設計,而且符合訊息協定的規定,因此可以透過以下方式提供比SMBus更強的防雜訊干擾能力:
˙可選用較慢的 360 KHz 內部時鐘,以免極為靈敏的類比電路感生大量雜訊。
˙脈衝時段較長,升/降時間則較慢。資料匯流排即使出現比資料位元0訊號傳輸期還短的干擾也可以不理。相比之下,SMBus時脈線路會將無效資料連同時脈脈衝一併傳入晶片,產生雜訊干擾。SensorPath主控器/從屬器晶片都在匯流排資料接腳上加設一個3微秒雙倍取樣率的濾波器。
˙SensorPath上拉電阻的高電位阻抗較低,只有1.25K。相較之下,SMBus標準規定的阻抗為 8.5K,而一般採用的上拉電阻的阻抗則介於2.4K與4.7K之間。較高阻抗的上拉電阻更能抵抗雜訊的干擾。
˙SensorPath的接收電流為 4mA,比SMBus的接收電流高。SMBus的接收電流介於100μA 與 350μA之間。由於SensorPath具有較強的輸出能力,因此可以驅動更大匯流排電容。
˙SensorPath的訊息協定規定採用奇偶位元,但SMBus則沒有奇偶位元的規定。因此採用SensorPath可以檢測資料的奇偶性,而非只可核實接收的位元數目。
˙SensorPath訊息協定規定讀取或寫入匯流排交易完成後必須發出確認訊號。讀取交易必須在發出及收到 ACK確認接收位元訊號時才可視為“完成”。
˙SensorPath匯流排主控器是裝設在SIO晶片內,為這款晶片添加多種新的保護功能,以確保整個資料交易過程穩定可靠,而系統安全又獲得保障。交易無法完成時,這個主控器會自動重新再試兩次,並會通知從屬器,以便核實每一個寫入交易。若主控器無法讀取感應器的訊息,便會重新設定 SensorPath 匯流排,並發出 IRQ、SCI 或 SMI,以便通知系統。有幾個極為重要的感應器負責監測中央處理器的溫度。若SIO主控器重複再試仍無法讀取感應器的訊息,便會關閉主系統的電源供應。
程式設計模式
匯流排規格另外規定一個程式設計模式,對於匯流排來說,這是較為少有的。但由於規定了程式設計模式,因此供應商及軟體開發商可以採用一個共同的標準,令軟體及晶片在運作上有高度的互通能力。
以上有關訊息協定的介紹已指出採用 3 位元晶片位址是因為這個位址可以確保匯流排能夠支援 7 個從屬器。晶片位址 0 是專供廣播訊息之用,以便將有關訊息傳送給從屬器。此外,每一訊息的 6 位元資料欄都規定應進入從屬晶片內哪一暫存器進行讀/寫作業。這種定址方式可以容許每一匯流排區段支援高達 7 顆晶片,以及容許每一晶片有高達 64 個可定址區段。(表二)顯示可為每一晶片提供 64 個位址。
《表二 SensorPath 晶片的暫存器位址圖》
位址範圍
簡介
0 - 7
共用晶片暫存器
8 - 15
功能 1 暫存器組
16 - 23
功能 2 暫存器組
24-31
功能 3 暫存器組
32-63
已預留的位址區段
每一從屬晶片必須裝設一組固定的暫存器,而以上頭8個已預留的位址區段則編配入這些暫存器內。(表三)列出這些“共用”的晶片暫存器,所謂“共用”是指每一從屬晶片可以共用這些暫存器。每一從屬晶片可以提供1至3個功能,而每一功能獲分派8個暫存器區段。餘下的32個位址區段則留作未來擴展這個規格之用。
《表三 共用晶片暫存器的定義》
位址
暫存器
位元寬度
簡介
0
晶片數字
8
這個唯讀暫存器負責儲存 1 至 7 的 SensorPath 晶片數字 (位址)。
1
MFG 識別
16
這個唯讀暫存器負責儲存由 PCI SIG 專為個別製造商編配的識別代碼。
2
晶片識別
16
這個唯讀暫存器負責儲存製造商專為這款晶片編配的識別代碼。較低的 11 個位元內含識別代碼,而較高的 5 個位元則內含修正碼。
3
功能 - 已固定
16
這個唯讀暫存器設有 3 個 4 位元寬的資料欄,用以識別這款晶片可能提供的 3 個功能(功能描述符),也設有一個
4 位元的資料欄,用以顯示將來可用以擴展功能的暫存器有多大的容量。
4
晶片狀態
8
這個唯讀暫存器可為每一感應器功能提供狀態旗標及錯誤旗標,也可為晶片匯流排提供總體錯誤旗標。
5
晶片控制
16
這個讀/寫暫存器設有多個控制位元,以便為感應器可能提供的 3 個功能的任何一個提供支援,也為各晶片保留位元空間,以便晶片可以執行重設和停機功能,以及讓晶片可以選擇低功率的作業模式。
6
功能 - 擴展
0、8、16、24 或32
這個唯讀暫存器只負責儲存與原廠有關而涉及晶片功能的訊息,其容量由暫存器 3 內的一個 4 位元資料欄所決定。
7
已預留
不適用
只供將來擴展規格之用。
功能描述符及暫存器
這個規格為晶片可能提供的3個功能中的任何一個指定一個4位元寬的功能描述符資料欄。若功能描述符的數值為0時,即表示這是並未落實執行的功能。目前有4個指定的非零數值可以提供溫度測量功能、電壓測量功能、電壓連同VID測量功能、以及EEPROM儲存功能。餘下的4個功能描述符數值專供製造商自行分配,以便支援特別的功能,而最後4個描述符數值則留作將來擴展規格之用。
感應器可為每一感應功能提供多個感應點。例如,溫度測量功能可以支援高達 7 個不同的溫度感應器,而電壓測量功能則可支援高達22個電壓輸入。晶片的每一功能都可獲分配8個暫存器區段。這些暫存器的定義取決於功能類型,但溫度測量感應器及電壓測量感應器大致上有一定的共通性。
(表四)及(表五)列出與這些感應功能有關的暫存器。許多專門用語及定義只適用於英特爾(Intel)處理器及支援電路,例如PROCHOT、VR_HOT 及VID。如欲進一步瞭解這些用語及這些訊號的功能,可查看英特爾的處理器資料表。如欲進一步查詢有關內建溫度及電壓感應功能的 SensorPath 晶片的資料,可查閱 SensorPath 規格4,5及相關晶片的資料表。
《表四 溫度測量暫存器的定義》
位址(功能基礎 +)
暫存器
位元寬度
簡介
0
功能
16
這個唯讀暫存器可支援與溫度測量有關的所有功能特色,其中包括解析度、溫度資料中 的有效資料位元數、顯示資料簽署與否的旗 標、顯示輸出暫存器寬度
(16 或 24) 的旗 標、顯示已內建溫度感應器的旗標、顯示可 支援多少外接溫度感應器的位元數、以及顯 示可支援多少
PROCHOT 及 VR_HOT 輸入 訊號 (若有的話) 的位元數。
1
讀出
16 或 24
這個唯讀暫存器負責儲存感應器經過掃描而取得的最新溫度讀數。這個暫存器另外設有 的位元可以顯示提供資料的溫度感應器的型 號數字。此外,這個暫存器也設有錯誤和事 件旗標。
2
控制
16
這個讀/寫暫存器專為每一溫度感應器提供啟動位元,而另外也設有可啟動注意請求的位 元。
3
狀態
8
這個供未來之用的唯讀備用暫存器負責儲存溫度感應器狀態的資料。
4
PROCHOT選擇
8
這個寫入暫存器可從 PROCHOT/VR_HOT 輸入的 3 個可能組合之中選擇其中一個。
4
PROCHOT 讀取
16
這個讀取暫存器另外設有位元,可顯示究竟PROCHOT 及/或 VR_HOT 輸入有沒有啟 動,若有,便會隨即顯示輸入進行時所佔可 程式窗口時間的百分比。
5
PROCHOT 控制
8
這個讀/寫暫存器可用來設定時間窗口,以便利用這個時間窗口量度 PROCHOT。
6
PROCHOT 強制執行
16
這個讀/寫暫存器可以確保晶片能夠強制某一 PROCHOT 輸出執行工作,也可設定可驅動 輸出的脈衝寬度調變
(PWM) 控制器的佔 空比。這個暫存器也可用以支援 VR_HOT 輸 入啟動,以便強制相關的
PROCHOT 輸出執 行 PWM 啟動。
7
預留
不適用
只供將來擴展規格之用。
《表五 電壓測量暫存器的定義》
位址(功能基礎 +)
暫存器
位元寬度
簡介
0
功能
16
這個唯讀暫存器可支援與電壓測量有關的所有功能特色,其中包括電壓資料內的有效資 料位元數目、顯示輸出暫存器寬度
(16 或 24 位元) 的旗標、顯示電壓通道數目 (0 - 22
條通道) 的資料欄、顯示低掃描率模式 是否獲得支援的位元、顯示有多少 VID 組可 獲支援的位元、顯示
VID 輸入位元寬度的位 元、以及顯示控制暫存器容量 (16 或 32 位 元)
的旗標。
1
讀出
16 或 24
這個唯讀暫存器負責儲存經過掃描的通道所提供的最新電壓讀數。這個暫存器設有足夠 位元,可以顯示提供資料的電壓通道的數 字,也另外設有錯誤和事件旗標。
2
控制
16 或 32
這個讀/寫暫存器為每一電壓通道提供啟動位元,以顯示哪一通道可用作低掃描率的起始 點,而另外也提供可啟動注意請求的位元。
3
狀態
8
這個供未來擴展之用的唯讀備用暫存器負責儲存電壓感應器狀態的資料。
4
VID 選擇
8
這個寫入暫存器可以利用 VID 讀取暫存器從提供資料的 3 個 VID 可能組合之中挑選其中 一個。
4
VID 讀取
16
這個讀取暫存器負責儲存最新選出的 VID 組所提供的輸入資料、以及顯示已選擇了哪一 VID
組的位元資料,和顯示究竟是否已出現 高限幅、低限幅或故障錯誤的位元資料。
5
VID 控制
16
這個讀/寫暫存器可用以配置電壓窗口的大 小,以便採用動態 VID /
Vcore 監測模式作 業時可以用這個窗口來比較電壓的量度數 字。這個暫存器也設有足夠的位元空間,可 為電壓通道
0、1 及 2 提供 VID 支援。
6
預留
不適用
只供將來擴展規格之用。
7
預留
不適用
只供將來擴展規格之用。
結語──商業上的考慮:
許多公司都規定必須採用開放式的標準,而所需的許多零組件都規定要有多個供應來源以供選擇。以美國國家半導體為例,已取得分散式管理任務推動小組(Distributed Management Task Force;DMTF)的支持,以確保這種技術會獲得採納為開放式的標準,也希望透過該小組的推廣獲得業內的廣泛採用。DMTF 組織領導業界為企業及網際網路用戶群制定各種管理標準,並推行各種推廣活動以推動業界廣泛採用這些標準,以及確保這些標準能在運作上互通。DMTF 的系統及晶片工作組最近考慮採納SensorPath匯流排為開放式標準,但目前該組織仍在審議有關標準。
由於數位半導體製程技術越趨精密,令類比感應器難以充分發揮效能及成本效益方面的優勢。類比感應器雖然可以整合到電腦的 Super IO 晶片或其他數位零組件之中,但這不是提供必要的類比監控功能的最佳方法。我們當然可以採用離散式 SMBus 或 I2C 晶片,但這樣要面對雜訊干擾的問題。美國國家半導體開發 SensorPath 技術時,務求能為市場提供一個具有高抗雜訊干擾能力而成本又低廉的理想解決方案。這個解決方案將數位與類比功能分隔開,而且又採用單線介面與脈衝寬度資料訊號傳輸方式,加上可以提供標準化的程式設計模式,讓用戶可以充分利用這些新技術的優點。
(作者任職於美國國家半導體)
參考資料:
[1]The I2C-Bus Specification, Version 2.1, January 2000, Philips Semiconductor Corp., http://www.semiconductors.philips.com/buses/i2c/.
[2]System Management Bus (SMBus) Specification, Revision 2.0, August 2, 2000, http://www.smbus.org/.
[3]Remote diodes yield accurate temperature measurements, EDN Magazine, July 10, 2003, http://www.end.com.
[4]SensorPath Specification, Revision 0.99, July 23, 2003, http://www.dmtf.org
[5]LM96010 and LM95010 Datasheets, National Semiconductor, Corp, http://www.national.com.
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