深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。

2005年以前，半導體業持續在幾乎可預測的態勢下取得進展。摩爾定律曾引領電晶體的密度擴展，而Dennard縮放定律確保了功率密度維持穩定。在這一切發展的同時，成本僅微幅增加。但自2000年代中期開始，技術發展開始偏離軌道，驅使業界逐步導入新型材料、更先進的微影和圖形化技術，以及創新的元件架構。未來，在AI及其相關的多元化需求暴增的驅動下，我們必須實現創新才能延續摩爾定律。除了尺寸微縮（水平微縮），完整系統堆疊的協同優化是下一步，而3D整合（垂直微縮）是實踐這點的技術方案之一。

元件複雜度增加，加上尺寸持續微縮和3D整合技術興起，使得量測與檢測的需求持續增長。這些技術對半導體製造的作用不容小覷：這些技術透過控制製程來確保良率、性能和可靠度。過程中，新型量測持續出現，多數創新透過比利時微電子研究中心（imec）與其量測夥伴實現，為早期開發的技術增添生力軍。
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