三菱电机将建设新晶圆厂 增进SiC率半导体产能

因应快速增长的电动汽车对於碳化矽（SiC）功率半导体需求，三菱电机（Mitsubishi Electric Corporation）宣布，至2026 年 3 月的五年内，将投资计画增加达到约 2600 亿日元，主要用於建设新的晶圆厂增加碳化矽（SiC）功率半导体的产量。根据该计画，三菱电机将扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等。该计画还将使三菱电机能够为全球节能和脱碳的绿色转型趋势作出贡献。

图一 : 三菱电机将建设新的晶圆厂，以推动碳化矽功率半导体业务（source：Mitsubishi Electric Corporation）

新增投资的主要部分，约 1000 亿日元，将用於建设新的 8寸SiC 晶圆厂和增强相关生产设施。新工厂将合并熊本县酒酒井地区的自有设施，将生产大直径 8 寸SiC 晶圆，引入具有先进能源效率和高水平自动化生产效率的无尘室。此外，该公司还将加强其 6 寸 SiC 晶圆的生产设施，以满足该领域不断增长的需求。

此外，三菱电机将新投资约 100 亿日元用於新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用於功率半导体的组装和检查。集设计、开发、生产技术验证於一体，将大大提升公司的开发能力，以利於及时量产来因应市场需求。剩馀的 200 亿日元全部为新投资，将用於设备改进、环境安排和相关营运。
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