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CTIMES / 碳化矽
科技
典故
计算机病毒怎么来的?

计算机病毒最早的概念可追溯回1959年一种叫做 「磁蕊大战」(core war)的电子游戏,这种游戏的意义在于,程序是可以自我大量复制的,并可与其他程序对抗进行破坏,造成计算机软、硬件的损毁。而后在1987年,C-Brain程序会吃盗拷者的硬盘空间,C-Brain的恶性变种就成为吃硬盘的病毒。
Cree和意法半导体宣布碳化矽晶圆长期供货协议 (2019.01.10)
Cree宣布签署一份长期供货协议,为横跨多重电子应用领域的全球领先半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST)生产和供应Wolfspeed 碳化矽(SiC)晶圆。按照该协议规定,在目前碳化矽功率元件市场需求明显成长的期间,Cree将向意法半导体提供价值2.5亿美元之150mm先进碳化矽裸晶圆与磊晶晶圆
英飞凌收购碳化矽商Siltectra SiC晶片产能将倍增 (2018.11.19)
英飞凌科技宣布收购位於德国德勒斯登的新创公司 Siltectra 。该新创公司开发一种创新的冷切割技术 ( Cold Split ),可有效处理晶体材料,并可大幅减少材料损耗。英飞凌将采用此 Cold Split 技术分割碳化矽 (SiC) 晶圆,使晶圆产出双倍的晶片数量
UnitedSiC发布全新UF3C FAST碳化矽FET系列产品 (2018.11.06)
碳化矽(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相较现有UJC3系列,FAST系列具有更快的切换速度和更高的效率水准
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充
碳化矽晶圆全球产能有限 市场仍处於短缺中 (2018.10.07)
相较於矽(Si),采用碳化矽(SiC)基材的元件性能优势十分的显着,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化矽晶圆的制造和产能的不顺畅
低耗能、小型化 碳化矽的时代新使命 (2018.10.03)
为了让电子产品能朝低耗能、高效率与小型化等三大主流趋势发展,便需要效率更高、性能更好且要能小型化的新一代功率元件。碳化矽独特的物理特性,正适合用於满足这些需求
碳化矽元件的市场发展关键:晶圆制造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度,仅次於金刚石,需要在极高温才能烧熔,再加上生产条件的控制难度大,导致碳化矽晶圆量产不易,直接影响了终端晶片与应用的发展。
贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。 QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW,为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体,拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围,适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用
APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET,进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体
安森美推出碳化矽二极体 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二极体(Schottky diode)系列产品,扩展SiC二极体产品组合。这些二极体的先进碳化矽技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗,并轻松实现元件并联
Littelfuse推出经扩展的碳化矽肖特基二极体产品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四个隶属於其第2代产品家族的1200V碳化矽(SiC)肖特基二极体系列产品,该产品家族最初於2017年5月发布。 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A,并采用主流的TO-220-2L封装
在台三十年 (2017.12.19)
1987年,罗姆半导体(ROHM Semiconductor)选择落脚台湾,然後一待就是30年。
Littelfuse碳化矽MOSFET可在电力电子应用实现超高速切换 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首个碳化矽(SiC)MOSFET产品系列,成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化矽技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.,向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步
东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体 (2017.01.13)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD),该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动
ROHM结盟Venturi电动方程式赛车车队 提升赛车性能 (2016.10.14)
半导体制造商ROHM与参加FIA电动方程式赛车锦标赛的Venturi电动方程式赛车车队(Venturi Formula E Team),缔结为期3年的技术伙伴契约,透过碳化矽(SiC)功率元件的加持,运用在赛车马力核心的变流器中,可协助赛车小型化、轻量化和高效率化,大幅提升赛车性能
Littelfuse将于2016年PCIM Europe展示市场应用解决方案 (2016.05.10)
全球电路保护领域的企业 Littelfuse公司,将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界盛会之一。本次展会上,Littelfuse将在7-140展台(7厅)展示两个全新的电源半导体系列:碳化矽(SiC)肖特基二极体和矽IGBT技术
意法半导体扩大碳化矽MOSFET系列为应用带来宽能隙技术优势 (2016.01.20)
意法半导体(ST)推出新款SCT20N120碳化矽功率MOSFET,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势,包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智慧电网设备
意法半导体新款碳化矽二极体支援新能源汽车等应用 (2014.12.17)
因应逆变器小型化的挑战和强劲需求,意法半导体(ST)推出新款车规碳化矽(SiC)二极体,以满足电动汽车和插电式混合动力车(Plug-in Hybrids;PHEVs)等新能源汽车对车载充电器(on-board battery chargers;OBCs)在有限空间内处理大功率的苛刻要求
科锐开创性SC5技术平台实现双倍光输出 (2014.11.11)
重新定义大功率LED!科锐公司(CREE)推出开创性的SC5技术平台,在照明级LED性能方面再次实现重大突破,科锐以此新型技术平台为基础,推出超大功率(XHP)LED组件系列产品,推动下一代照明应用
Fairchild的SiC解决方案在功率转换系统中提高可靠度 (2012.11.21)
快捷半导体(Fairchild) 延伸至创新的高性能功率晶体管技术领域,宣告碳化硅 (SiC) 技术解决方案 是功率转换系统的理想选择。 先进 SiC 双极晶体管 (BJT) 系列是快捷半导体 SiC 产品系列首批发布产品之一,具备高效能、高电流密度、耐用性高,且可轻易在高温条件下运作

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