Intel（英特尔）在PC的CPU领域雄霸多年，在闪存领域也一直位居市场主导者的角色，不过最近几年在NOR Flash领域受到AMD与Fujitsu合资的Spansion强力挑战，甚至一度失去市占率第一的王座；另外，NAND Flash近来应用领域日广，也有近一步压缩NOR Flash市场空间的趋势。面对这些严厉的挑战，Intel企图以更完整的解决方案、更前瞻的技术能力挽回颓势，并乐观看待NOR Flash未来的市场前景。

《图一》

Intel投入Flash市场多年，一直是市场领导厂商，不管是技术或市占率，然而最近几年，AMD与Fujitsu分割各自的Flash部门合资成立Spansion，积极经营市场，甚至成功拉下Intel，使得其Flash产品在2003年初市占率跌落长期占据的龙头宝座，继而才透过价格、技术等更为积极的策略重登NOR Flash市占率第一的排名。该公司亚太区闪存营销部经理Troy Winslow表示，Intel具备完整的产品线，可以整合CPU、芯片组等产品，在嵌入式应用的NOR Flash领域，可以提供客户高度整合的解决方案。

Troy Winslow强调，在进入奈米级制程之后，技术开发的投资与过去相较庞大许多，只有少数厂商有能力负担，而Intel资源丰富，在市场主流进化到更前瞻的制程之后，也将逐渐拉大与竞争对手的差距。以产品线而言，Intel已推出第五代90奈米制程的NOR Flash产品的样品，今年第三季将正式量产，新产品具备500Kbps的数据传输率，较旧产品提升超过三倍；运作频率为108/133MHz，与130奈米的前一代产品相较，也提升了两倍余。

另外，除了提供不同类型产品的整体解决方案之外，Intel本身也拥有不同类型的内存技术，最近几年专注于可携式产品的嵌入式记忆解决方案应用，Troy Winslow指出，该公司利用MLC（Multi Level Cell）技术，可以提供客制化的产品，由客户自行选择需要的NOR Flash、NAND Flash与RAM的容量配置，透过适当的封装技术在单芯片上实现，强调高数据储存密度与高效能，同时也提供客户免费的参考设计软件，强化产品附加价值与全面的客户服务。

在市场展望部分，Troy Winslow认为2006年NOR Flash市场主流将是512Mb～1Gb，而尽管NAND Flash成长迅速，但是由于安全性问题，NOR Flash具备一次可编程特性，适合储存系统程序代码，基本上不会有太严重的市场挤压现象。技术发展上，Intel 65奈米的NOR Flash技术已经开发完成，不过发表与量产时程尚未确定；另外，以物理特性来说45奈米制程已是Flash的极限，很难再往下发展，不过，基本上Intel看好非挥发性内存市场与持续发展的方向不变，未来一定会有新兴非挥发性内存出现市场，届时Intel也会保持开放性的态度，目前并没有明确的规划。