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挑战深次微米时代之ASIC/SoC设计
 

【作者: 徐富桂】2003年10月05日 星期日

浏览人次:【3954】

积体电路的发展趋势显示,奈米时代已经来临。目前主流设计已利用180nm(0.18μm)、150nm(0.15μm)制程实现,而一些先进设计,如高速微处理器(CPU)和高级记忆体等,更已经采用130nm(0.13μm)甚至100nm(0.1 μm)、90nm技术进行制造。从制造端来看,占世界晶圆代工市场76%的台湾晶圆双雄不约而同的朝向高阶制程技术发展,根据ITIS计画统计,台积电与联电对高阶制程技术养成态度相当积极,且高阶技术已逐渐成为其营收重要来源。


以2003年第二季而言,台积电0.13μm占营收17%、0.15μm占21%、0.18μm占24%、0.25μm占20%、0.35μm及0.5μm分别占9%。其中0.18μm在过去一年来皆维持在21~24%﹐但0.25μm占营收比重却逐渐萎缩﹐由27%降至20%﹐0.35μm及0.5μm也迅速由过去的二位数市占率下滑至9%。而在联电方面,2003年第二季营收结构中﹐0.13μm占6%、0.15μm占8%、0.18μm占24%、0.25μm占22%、0.35μm及0.5μm分别占28%、12 %。高阶产能占营收比重虽不如台积电多﹐不过大趋势也是往高阶深次微米制程迈进。


奈米设计的挑战
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