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多层电路板的EMI模拟对策技巧
 

【作者: 高士】2006年08月07日 星期一

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随着各种电子产品高性能化与环境问题表面化,印刷电路板产生的放射噪讯(Noise)问题已经无法再逃避漠视,目前EMI(Electro Magnetic Interference)噪讯对策,大多仰赖设计者长年累积的经验,或是利用模拟分析软体针对框体结构、电子元件,配合国内外要求条件与规范进行分析。


电磁波分析软体迟迟无法进入实际应用阶段,主要原因是放射噪讯现象要求极高的分析技巧,而且基板模式非常繁琐复杂,许多未知领域还有待突破,有鉴于此本文针对多层电路基板的共振现象,探讨放射噪讯的模拟分析技巧。


一般所谓分析技巧是以「噪讯驱动源」、「结合路径」与「天线系数」三者相乘的结果表示,有关「噪讯驱动源」首先分析印刷电路基板内的波形信号,依此计算各频率的噪讯衰减量;有关「天线系数」则先确认模拟分析是否能够使理论计算式重现,依此应用到实际电路基板。


理论背景

印刷电路板产生的放射噪讯,一般认为所有的放射噪讯起因于信号驱动源亦即LSI元件,它的能量使得某种天线结构因高频性结合激振,进而发生不必要的电磁放射,也就是说放射噪讯如(图一)所示,是由噪讯驱动源、结合路径与天线系数三种要素相乘的结果所构成。


《公式一》
《公式一》

本文以具备金属面的多层电路基板为例,根据各要因特性利用模拟分析技术探讨放射噪讯的发生要因,必需注意的是结合路径不具备频率特性,因此此处假设为不作放射噪讯值的计算,同时只作频率特性分布等等的相对差检讨。


《图一 噪讯放射的基本要素》
《图一 噪讯放射的基本要素》

多层电路基板具有Vcc面与GND面等宽广的金属传导面,金属传导面若挟持诱导体相互在平行位置时,就会成为平行平板共振器,并产生电磁性固有定驻波。


如(图二)(a)单纯的模式图所示,金属平行板(以下简称为平板)附近的电场与磁场的动作特性,可以利用Maxwell方程式求得,被当作境界条件的电场若与平板垂直或与磁场平行的话,就可以导出二次元的定驻波,此时共振频率可用下式表示:


《公式二》
《公式二》

上述场合的定驻波又称为模式。由(公式二)可知共振频率与诱电率以及平板的边长有依存性(互动关系);图二(b)是将代入公式二,分别计算模式的共振频率,根据表一的计算结果显示随着基板端缘的共振条件,电场会变成蛇腹状共振,磁场则变成环节状共振。


《图二 (a)平板共振模式(b)平行平板模式的共振频率与电场磁场的动作特性》
《图二 (a)平板共振模式(b)平行平板模式的共振频率与电场磁场的动作特性》

分析方法

接着利用电磁波分析技术,亦即有限差分时间领域法(Finite Difference Time Domain;FDTD)探讨上述共振现象。


此处为了求出至为止的连续性频率特性,因此将Gaussian脉冲当作输入信号,此外还在超过以上被视为平面波的距离处设置测试点,量测该点的放射电界强度当作放射噪讯的评鉴特性,至于围绕计算领域的面视为完全吸收境界。


虽然将平板之间的电界已经被当作脉冲输入,然而基于平面内蛇腹状共振与环节状共振彼此相异等考量,因此最后决定选择(图三)(a)所示三个位置作为测试点;图三(b)是模拟分析结果,根据分析结果显示虽然放射效率随着脉冲的输入位置有所不同,不过共振频率却完全一致,而且它与利用理论计算式诱导的频率完全相同,证实平行平板的共振理论与模拟分析可以应用于实际基板成品。


《图三 长方形模式仿真分析》
《图三 长方形模式仿真分析》

(图四)是表面与内部设有电路图案(Pattern),内层设有GND与电源图案四层印刷电路板的放射噪讯测试结果,由图可知有数个频率超过放射电界强度的评鉴基准线,因此必须抽出基板的GND与Vcc层借此简化微细形状,并制成平行平板的分析模式,这样作主要原因是的频率范围,对放射噪讯模拟分析非常重要,如果将诱电体的比诱电率当做4计算时,它相当于的波长,然而最小波长的1/10亦即是主要目标,依此推论(图五)的结构对共振应该没有任何影响。


此外实际上电路基板上的主动元件可能都是噪讯驱动源,因此必需针对数个元件设置位置输入脉冲进行比较。值得一提的是脉冲的施加分别是GND-Vcc之间与分割的GND之间,其结果如(图六)所示放射效率会随着施加脉冲位置出现差异,不过基本上共振频率却完全相同,依此证实共振频率与脉冲施加位置无关,它只对平板的形状具有依存性。


《图四 实际基板放射噪讯的实测结果》
《图四 实际基板放射噪讯的实测结果》
《图五 实际基板分析》
《图五 实际基板分析》

《图六 实际基板仿真分析结果》
《图六 实际基板仿真分析结果》

接着再以上述基板当作矩形波噪讯驱动源激振计算放射电界强度,此时基板的天线系数使用已经考虑频率范围内平均强共振的资料(图六的点E),(图七)是放射电界强度计算结果,该图的纵轴如上所述它是假设结合路径为1并未计算绝对值,而是与图四的实测值合成的结果。如果图四与图七比较时,可以发现两者的放射电界强度频率分布大致相同,而且模拟分析结果与实测值非常一致。


如图七所示两者唯一差异是频率较高时(以上)模拟分析结果的放射电界强度稍为高一点,主要原因是实际信号驱动源与矩形波的频率成份比较时,高频成份相对降低所致。


《图七 以矩形波激振时的放射噪讯计算值》
《图七 以矩形波激振时的放射噪讯计算值》

有关噪讯驱动源,一般认为造成驱动平行平板共振的主要原因,是半导体元件LSI电源端子内部流动的电流属于高频电流所致。 (图八)是LSI产生的噪讯驱动源动作机制,如图所示高频电流在LSI内部产生时脉(Clock)与Bus等信号时,电晶体会出现Switching动作,因此基板导线产生的Common Mode激发电力动作机制适用于LSI,尤其是Switching时「信号导线-GND」与「-信号导线」的电流平衡度的均衡(Balance)性,会导致某种Common Mode电压产生,它与Normal Mode电压的关系可以用下式表示:


传统剪裁的公式如下所示
传统剪裁的公式如下所示

由于本文是将定数差设为1只进行相对性评鉴,因此Common Mode的激发电力与信号波形相同,依此判断电流平衡度是造成信号波形的主要原因。


《图八 LSI产生的噪讯驱动源动作机制》
《图八 LSI产生的噪讯驱动源动作机制》

有关信号波形分析则使用传输线路分析技术,进行实际电路基板的模型分析,接着再根据分析结果以频率分析方式求出结果。此处考虑到实际电路基板的导线数量相当庞大,导线对放射噪讯的影响比率也不一样,因此只针对其中部份线数信号进行分析。根据(公式一)可知噪讯驱动源降低的话,放射噪讯强度也会随着降低,换句话说只要调查各种噪讯对策的频率范围改善效果,理论上就可以充分进行放射噪讯对策。


(图九)是典型的传输线路模式实例,由于它是Bus导线因此数个双向端子呈树枝状连接在端缘部位(导线以圆柱表示,它具有特性阻抗与长度等资讯),再以IBIS赋予元件端子电气特性;EMI滤波器使用传输线路模型(Model)常用的等价电路。



《图九 传送线路模式实例》
《图九 传送线路模式实例》

(图十)是阻抗(Impedance)时模拟分析波形;(图十一)是阻抗(Impedance)时模拟分析波形。由图十可知阻抗时波形相当纷乱,而且还出现Overshoot、Undershoot、非单调性(Non-monotonic)等现象;阻抗的(图十一)则出现波形站立延迟现象,上述波形纷乱主要原因是信号抵达各端子的时间差与阻抗不一致,导致信号反射影响波形站立时间。


《图十 仿真分析波形》
《图十 仿真分析波形》
《图十一 仿真分析波形》
《图十一 仿真分析波形》

此处将的Damping阻抗值提高到同时去除EMI滤波器,依此进行传输线路分析,(图十二)是分别利用Fourier转换获得的频率成份;(图十三)是计算对策前后信号强度获得的结果。


以此例而言,Damping阻抗依存频率的特性变化很小,的Damping阻抗值提高到时大约降低左右,频率对EMI滤波器的依存性比较大,大约降低左右。


根据以上波形模拟分析结果可知,Damping阻抗与EMI滤波器具有左右的降低效果,不过随着信号与频率的不同,也有无法判断效果的可能,主要原因是对策元件造成噪讯抑制效果极易受到导线形状的影响,此外复杂的信号反射同样无法获得噪讯抑制效果,换句话说为了确实掌握对策元件的噪讯抑制效果,利用模拟分析精密计算抑制效果的事前作业非常重要。


《图十二 对策组件产生的频率特性》
《图十二 对策组件产生的频率特性》
《图十三 对策组件产生的频率成份变化量》
《图十三 对策组件产生的频率成份变化量》

综合以上分析结果如下:


  • ‧由GND面与Vcc面构成具备多层平行金属平板的印刷电路基板,会发生平行平板共振现象,该共振频率的理论值以及模拟分析与放射噪讯峰值(Peak)相当一致;


  • ‧实际印刷电路基板若去除导线、元件,只作平行平板模型的放射噪讯模拟分析,可以获得与该电路基板放射噪讯实测值相同的频率分布结果;


  • ‧有关噪讯驱动源的模拟分析,只要使用传输线路分析法求得的波形信号,就可以用频率成份预测噪讯,不过预测结果只能当作相对性评鉴资料。



结语

以上针对多层电路基板的共振现象,根据「噪讯驱动源」、「结合路径」与「天线系数」等概念,探讨有关放射噪讯的模拟分析技巧。


延 伸 阅 读

现今的电子产品都以符合小型化、高性能、高精度、高信赖度、及高反应度等为目标,使得电路元件的分布密度过高、电路的体积大大的缩小,然而电路变得愈精巧,则会有更多的元件挤在很小的空间当中,增加了干扰的机会,其中以电磁干扰(EMI)及杂讯最令人感到困扰。相关介绍请见「传导性EMI量测系统的架构及原理」一文。

包括手机、PDA、数位相机等,对于有效和经济的EMI遮罩设备的需求亦相应增长。在技​​术和功能大幅提高之下,所要求的遮罩保护技术将会更高。设计人员必须对差动方式发送信号、电源问题、布局选择和遮罩方案予以周详考虑,全力将这些干扰减至最小。你可在「降低EMI干扰技术综观」一文中得到进一步的介绍。

本文的重点在于提供读者一个新的电磁相容测试观念与流程,期能使花费于电磁相容测试的时间与成本降到最低。 在「电磁干扰(EMI)先期认证测试的观念与重要性」一文为你做了相关的评析。

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本文针对3G手机设计讨论使用串列汇流排技术连接基频处理器与LCD和相机时,必须考虑的问题以及技术上的优势。例如EMI对于设计影响以及LVDS串列链路如何解决这些问题。相关介绍请见「用串列汇流排技术减少3G手机的IMEI与成本」一文。

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