英飞凌全新高功率模组平台 免权利金授权业界封装设计

英飞凌科技（Infineon）推出两款全新功率模组平台，提升1200V 至6.5kV 电压等级中高压 IGBT 的效能。为让更多厂商享有此全新模组的效益，英飞凌以免权利金的方式，授权此设计给所有 IGBT 功率模组供应商。采用此平台概念的首批产品包括高电压等级3.3kV（450A）、4.5kV（400A）及6.5kV（275 A），全新设计的封装尺寸为100mm X 140mm X 40mm。

图一

可靠且高效能的IGBT模组是工业与牵引式马达、风力与太阳能发电系统以及长距离电力传输等电力切换的主要技术。经过三十年的运用，晶片技术发展使IGBT仅须小幅调整标准封装技术，就能达到更高的能源效率，符合更高的运作温度需求，并同时达到缩减尺寸、提升可靠性，及降低成本的目标。随着各种应用的需求持续提升、环境益发严苛，上述方法已达到极限，使得高功率模组封装技术的改变成为持续提升效能的关键。

英飞凌开发的全新模组平台可满足高功率密度、能源效率、使用周期长与耐用性等新兴系统需求。其弹性的概念可让相似的零件以并联方式连接，因此能够简化DC连结端子与电容的结构。AC端子并联也只需一个汇流排，新模组的弹性与扩充性将大幅简化系统设计，有助达成开发人员的上市时间要求。全新高功率模组利用最新的封装技术，有助於降低整体系统成本，并确保设计可符合未来的需求。
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