NOR与NAND闪存从于1986年问世至今，20年间已延展9个世代。内存种类和MLC技术的延展带给手机与数字相机市场高密度的程序代码与可移除数据储存媒体。本文将讨论闪存延展将如何继续催生新解决方案，包括行动通讯与个人计算机运算平台。新 DDR NOR闪存接口将使行动应用(如3G/UMTS手机)以更高效能(133MHz与更高)执行程序代码。非挥发性内存 (NVM) 磁盘高速缓存内存正开始成为个人计算机运算与其他应用重要与可行的子系统。将NAND Flash 加入个人计算机内存阶层可提生效能、减少耗电、并提供更丰富的使用经验。虽然内存技术延展仍存在挑战，闪存解决方案将持续进化，以更低耗电，以及更多元和高效率的解决方案，满足种类不断变化的应用需求。

简介

将NAND Flash 加入个人计算机内存阶层可提生效能、减少耗电、并提供更丰富的使用经验。虽然内存技术延展仍存在挑战，闪存解决方案将持续进化，以更低耗电，以及更多元和高效率的解决方案，满足种类不断变化的应用需求。
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