在半导体制程进入奈米等级之后，我们一方面要求半导体的线径不断缩小，一方面又要不断提升IC上电子的迁移率，以提升芯片的运算能力，但是以目前的制程技术看来，似乎已经慢慢走到极限，而发展SOI（绝缘层上覆硅）制程IC生产用薄膜基板供货商的Soitec，对于可以提升芯片效能与降低耗电率的SOI制程，有把握可以将摩尔定律在奈米时代继续延续下去。

SOI技术其实在许多年前就已经被人提出，而由IBM成功将其商业化，Soitec在SOI制程薄膜基板的市占率超过80％，Soitec资深营销业务副总裁Michael Wolf表示，利用SOI制程，可以让芯片效能提升30％，并降低2～3倍的耗电率，该公司发展的Smart Cut技术甚至已经逐渐成为全球SOI制程的业界标准，目前Soitec生产8吋晶圆的一厂产能年出货量可达到80万片，因应12吋晶圆的发展趋势，明年将进入量产的二厂完全量产后，年产量更可以提升到200万片12吋晶圆。

Michael Wolf进一步强调，利用Soitec的Smat Cut技术，该公司提供适合不同应用的产品，包括：薄膜与超薄膜型SOI产品，支持高速、低电压、低功耗需求产品，如微处理器与无线通信芯片；厚膜型SOI产品，需求高电压、高温环境的光电组件与MEMS/MOEMS组件；SOQ（Silicon On Quartz）晶圆，是细薄的单晶型薄膜，应用在需要高电阻的透明基板。
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