90奈米制程已为业者开发技术的下一个主流，但实际上130奈米仍有许多技术问题有待解决，而业界又匆匆赶往65、45奈米技术开发，因此半导体制程问题彷佛堆积木般，堆得越高，制程反而越不稳定，往往无法提供足够的安全感。由于制程问题繁多，本文只针对铜制程、微影、光罩等重要制程做一概略的讨论，另外简略介绍90奈米制程的发展现况，让读者了解这一新制程的现况。

90奈米发展概况

目前半导体产业进入奈米制程阶段的企业，最著名即为英特尔（Intel）、台积电、联电等。今年8月英特尔发表多项90奈米制程的相关新技术，并且对外表示已利用90奈米制程生产芯片结构及内存芯片，预计明年将于12吋晶圆厂量产。英特尔的90奈米制程，整合7层的铜导线，并结合248奈米、193奈米波长的蚀刻设备。制造长度仅有50奈米的晶体管，比Pentium 4处理器内部60奈米的晶体管长度还小。这些晶体管内含之闸极氧化物的厚度仅有五个原子层（1.2奈米），而细薄的闸极氧化层能提升晶体管的速度。
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