不仅功率元件 驱动IC将朝向高频化发展

在功率设计领域中，驱动IC一向是相当重要的角色，它也广泛出现在许多应用市场，所以也让不少半导体业者趋之若??。然而，随着云端运算与物联网等应用概念的兴起，资料量的快速增加，使得资料中心与伺服器的需求快速成长，但毕竟机房的空间十分有限，若能提少功率密度或是减少系统体积，这是应用服务业者相当乐见的事情。

图一 : TI类比IC应用经理萧进皇

TI（德州仪器）类比IC应用经理萧进皇表示，其实在很多垂直应用中，功率系统都会需要「隔离」的设计，以进一步确保使用者的安全或是让系统的运算能够顺畅无虞。只是差别在於，隔离的等级有多高而已。目前在市场已开始兴起一种所谓的「双层」（reinforced）隔离的设计作法。相较於基本的单层隔离设计，这种设计方式的隔离效果更为显着，换言之，安全性与系统误动作产生的机会也就更低。

萧进皇进一步指出，目前市场上并非只有TI一家推出双层隔离的功率元件驱动IC，TI此次推出的UCC21520，是现阶段市场上「速度最快」的驱动IC。他解释，UCC21520在传播延迟的时间为19ns，与对手产品相较，後者则要花两倍的时间。一般来说，MOSFET本身一定会存在寄生电容，而MOSFET的重点则是在於如何在最短时间内降低其开关损耗，除了MOSFET的开关频率外，另一重点就是驱动IC能够提供多大的电流，让MOSFET能快速开关？UCC21520在供电电流的最大值为4A，让MOSFET关闭时的最大电流则是6A，电流愈大，MOSFET的充放电速度也就愈快。除了MOSFET外，像是IGBT与SiC等功率元件，UCC21520也能加以支援。
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