根据美国半导体产业协会的数据显示，每隔三年半导体IC的生产技术便要往前推一个世代，在Roadmap中，0.18微米世代的半导体产品必须在1999年量产，而0.13微米的产品是在2002年量产。要达到SIA Roadmap所规定的生产技术是一项相当困难的技术整合，举凡从组件设计、薄膜、微影、蚀刻到平坦化等技术都必须环环相扣紧密的连接在一起，才能勉强的达到进入量产的水平。而值得注意的是在上述的半导体模块技术中，微影技术本来并非一项瓶颈技术，尤其是在以前的微米或是次微米的半导体世代中，将光罩上的电路图形经由曝光、显影而转移到芯片上，并非一项相当困难的技术。

微影技术与制程之关系

而以往微影技术并非是一个瓶颈技术的主要原因，应该是曝光机设备的发展速度远超过半导体制程的需求。我们可以用两个参数来代表这个微妙的关系，第一个参数是曝光机光源的波长λ，它可以代表曝光机的发展程度，通常越小波长的光源代表的是越尖端的曝光机；第二个参数是光罩上线路图形的最小尺寸CD(Critical Dimension)，CD越小当然代表制程的要求越严格。在以往的半导体微米或次微米世代中，一直都是线路图形的CD比曝光机光源的波长λ还要大，也就是说，晶圆厂可以使用符合制程规格要求的曝光机来生产，在此情形下微影制程事实上可能类似印刷厂的印刷工作，在制程中只需要注意缺陷或迭对的控制，还不可能会遇到图案曝不出来的窘态。
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