台积电已向美国科胜讯（Conexant）移转0.35微米硅锗（SiGe）制程专利，在CMOS制程进行组件开发，预估今年年底投片试产。一般0.1一微米的逻辑制程技术，目前已开发出单元组件，预估明年第三季可开发完成。由于台积电研发的0.1微米制程平台，正全力推动与国际整合组件大厂（IDM）结盟，据了解，愿意合作者众多，将与联电、IBM、Infineon的制程平台对抗。两大联盟将使晶圆代工在高阶制程竞赛更趋白热化，并建立更高的竞争障碍。

台积电十七日于桃园扬升球场举行2001年技术论坛，台积电总经理曾繁城表示，台积电已在0.13微米制程技术取得相当的突破，客户数量远较预期得多。目前已有二家微处理器客户已正式量产，七家客户的产品已获得功能性验证，投片试产的已有一百二十种产品，其中四十个产品在验证成功后即可量产产出。因此，今年台积电在高阶的0.13微米制程产出将可大幅跃进。