联电三座12吋晶圆厂主力制程将以跳跃式制程技术投片，由0.18微米直接升级到0.13微米，预计2003年量产制程可进阶到0.1微米，并进入0.07微米制程研发。联电29日举行技术论坛，12吋晶圆厂的设备、制程、单芯片系统组(SOC)的环境整合，以及SOC共享光罩策略(Silicon Shuttle)的导入，都是现场客户专注的焦点。

联电技术长刘富台表示，整合型芯片及SOC是未来IC发展的主流，跨入的充要条件有五，前两项是设立标准制程及设计平台，第三，为强化速度并因应颗粒较大的特质，铜及低介电系数(Low K)的发展也很重要。另外，SOC因颗粒较大且变化多，适用于12吋晶圆厂生产，并拥有充足的可重复使用硅智财(Reused IP)，以目前全球IC生产架构分析，IC代工业者结合IP供货商发展的空间较大。

联电Fab 12A副厂长廖宽仰指出，联电Trecenti厂是采用四个月产能1万片的阶段(Phase)投产，并引进晶舟(FOUPS)承载、单晶圆制程(Single Wafer Process取代Batch)特殊流程，以降低学习曲线，今年第一季陆续以0.18微米投片生产低功率静态随机存取内存(LPRAM)，明年将跨入0.13及0.1微米生产。