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Mentor Graphics Calibre部门与IMEC合作
发展次波长微影技术

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年06月03日 星期一

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Mentor Graphics于5月28日宣布,Mentor Calibre部门已和IMEC达成一项合作协议,将共同发展次波长微影技术(subwavelength microlithography)。IMEC是欧洲最重要的独立研究中心,研究领域涵盖微电子、奈米技术、信息和通信系统的设计方法和技术,透过双方的共同合作,IMEC将使用Calibre分辨率强化技术工具,发展先进的高数值孔径(Numerical Aperture)193奈米和157奈米微影程序;由于目前的半导体制程技术非常精密,只有在分辨率强化工具协助下,才能达到令人满意的芯片良率。

Mentor Graphics表示,自1999年以来,IMEC和Mentor Graphics就建立密切的非正式合作关系,此次协议让它成为正式合作关系。根据这项为期三年的合作协议,Mentor Graphics将成为IMEC产业联盟计划(Industrial Affiliation Programs)的正式会员,共同发展高数值孔径193奈米和157奈米微影程序,并持续提供软件、训练和顾问服务;这项合作计划可以确保Mentor Graphics的分辨率强化技术能满足次100奈米制程的要求。

面对今日的复杂设计,要达成图案转移传真度的要求,唯一方法是混合运用各种分辨率强化技术。Mentor Graphics和IMEC将合作探索许多令人振奋的研究领域,其中之一是双重曝光双极分解(double-exposure dipole decomposition)的分辨率强化技术,它虽使用成本较低的二元光罩(binary mask),却提供非常良好的分辨率强化能力,可以和交替式强相位移光罩(alternating strong PSM)相媲美,这让它成为次100奈米加强型分辨率强化技术的最佳选择。

前言

IMEC硅晶制程技术部门副总裁Luc Van den hove博士表示,分辨率强化技术对于次波长制造非常重要,IMEC与Mentor的合作关系早已产生丰硕研究成果,因此他们非常高兴能将它升级为正式合作关系。由于Calibre会使用所有四种分辨率强化技术,即光学制程修正、相位移光罩、Scattering Bars和偏轴照明(OAI)技术,另外还包括可支持70奈米制程且极具发展潜力的双重曝光双极分解技术,故能为IMEC研究人员带来他们所需的工具,协助他们实现重大研究突破。对IMEC而言,这是非常重要的资产,能进一步带动他们的193奈米和157奈米光学微影程序产业联盟计划。

Mentor与IMEC最近还共同进行一项可行性实验,双方先使用Calibre工具建立一个相位移光罩布局,然后再利用248奈米交替式相位移光罩,为次100奈米制程产生闸极的平面图形定义。在2001年日本光罩研讨会上(Photo Mask Japan in 2001),Calibre部门与IMEC表示利用修剪技术(trimming techniques),他们已能实作70奈米、甚至50奈米的功能独立闸极。IMEC希望领先业界,率先实作这么精密的电路结构,以便发展下个世代的架构和制程。

Mentor Graphics Calibre部门总经理Joseph Sawicki表示,IMEC已开始执行先进微影技术的尖端研究,公司很高兴能将双方既有合作内容转换为正式合作关系,并把Mentor的工具提供给IMEC使用;另一方面,Mentor也可利用这项研究成果,确保公司的分辨率强化技术可以满足次100奈米制程的要求。

關鍵字: Mentor Graphics  uc Van den hove  EDA 
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