恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣布其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将增添15款新产品并已开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面达到最佳平衡点，并具备业界最低的RDS(on)，是高性能、高可靠性开关应用的理想首选。

恩智浦标准产品部全球营销副总裁Simon McLean说，让不同的产品应用市场都能享有相同的高效能半导体解决方案，正是恩智浦发展PowerMOS的价值主张。

恩智浦标准产品部全球营销副总裁Simon McLean指出，传统方法主要着眼于降低RDS(on)和Qg，而恩智浦NextPower则采用超级接面技术，使得低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot)与Qgd之间的平衡达到优化，进而提升开关性能，减少漏极输出与源极引脚之间的损耗，同时提高SOA性能。此外，恩智浦LFPAK为坚固的Power-SO8封装，尺寸精巧，面积仅5mmx6mm，可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。

Simon说，恩智浦的PowerMOS重点应用市场，除了目前已经拥有技术优势的车用市场之外，并进而将车用半导体的质量推向其他应用领域，包括PC市场最大宗的桌上型、笔记型与平板计算机，以及通讯市场的无线基地台，和电源供应器等市场上。让不同的产品应用市场都能享有相同的高效能半导体解决方案，提供良好封装、高效能技术、高质量产品，并协助客户获取更高价值，正是恩智浦发展PowerMOS的价值主张。