研调机构IC Insights 预估，今年全球半导体资本支出金额将达809亿美元，创下历史新高；其中，DRAM资本支出将激增53%，是增加幅度最大的产品领域。

IC Insights将今年度半导体资本支出预估金额，自先前的756亿美元，调高到809亿美元，较去年增加20%，将一举刷新历史新高纪录。

今年上半年半导体资本支出大幅增加，IC Insights将今年度半导体资本支出预估金额，自先前的756亿美元，调高到809亿美元，较去年增加20%，将一举刷新历史新高纪录。

IC Insights预估，今年动态随机存取记忆体(DRAM)资本支出金额将达130亿美元，较去年大增53%，将是增加幅度最大的领域；尽管这些支出主要用以推进技术，不过，海力士(SK Hynix)也将增加产能。

储存型快闪记忆体(NAND Flash)今年资本支出将达190亿美元，仍将高於DRAM的水准，也将较去年增加33% ，IC Insights认为，NAND Flash的资本支出将主要投入3D NAND Flash制程技术。

晶圆代工今年资本支出约228亿美元，将较去年略增4%，是半导体资本支出金额最多的领域，所占比重将达28%。