半导体制造商ROHM已开始650V耐压氮化??（GaN）HEMT

ROHM开始量产高效能650V耐压GaN HEMT，有助提升伺服器和AC适配器等电源系统效率并实现小型化，新产品由ROHM与台达子公司??基半导体联合开发而成。

「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，此二款产品适用於伺服器和AC适配器等各类型电源系统。

据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的重要课题。而功率元件则是提高电源效率的关键，碳化矽（SiC）和GaN等新世代半导体材料颇受瞩目。2022年ROHM将闸极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产； 2023年3月确立能大幅发挥GaN性能的控制IC技术。此次为助力提升电源系统效率和实现小型化，ROHM 再推出元件性能达到业界顶级水准的650V耐压GaN HEMT。

新产品是由ROHM与台达电子公司专注於GaN元件开发的??基半导体联合开发而成，在650V GaN HEMT的元件性能指数方面达到顶级水准，新产品可以大幅降低开关损耗，进一步提高电源系统效率。另外，新产品内建ESD保护元件，将抗静电能力提高至3.5kV，有助提高应用产品可靠性，而新产品还具有GaN HEMT元件的优势高速开关工作，有助周边元件小型化。

ROHM将有助应用产品节能和小型化的GaN元件命名为「EcoGaN系列」，并不断致力提高元件性能。新产品已於2023年4月起投入量产，并开始透过电商平台销售。