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联电和英特尔宣布合作开发12奈米制程平台
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年01月26日 星期五

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为了追求具成本效益的产能扩张,以及关键技术节点升级策略,扩展供应链的韧性。联华电子和英特尔共同宣布,双方将合作开发12奈米FinFET制程平台,以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长。这项长期合作结合英特尔位於美国的大规模制造产能,和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验,以扩充制程组合,同时提供更隹的区域多元且具韧性的供应链。

联华电子和英特尔将合作开发12奈米制程平台,提供客户更多元的区域供应链,以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长。
联华电子和英特尔将合作开发12奈米制程平台,提供客户更多元的区域供应链,以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长。

此项12奈米制程将善用英特尔位於美国的大规模制造能力和FinFET电晶体设计经验,提供兼具成熟度、性能和能耗效率的组合。受惠於联电为客户提供PDK及设计支援方面的数十年经验,得以更有效地提供晶圆代工服务。新的制程将在英特尔位於美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造,透过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资,并进行最隹化利用率。

双方透过生态系合作夥伴提供的电子设计自动化(EDA)和智慧财产权(IP)解决方案,合作支援 12 奈米制程的设计实现,以满足客户需求。此12奈米制程预计在2027年投入生产。

關鍵字: 奈米制程  联电  Intel 
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