英飞凌昨日（12/29）宣布已与快捷就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌于2008年11月在美国德拉瓦州地方法院提出诉讼，本诉与反诉牵涉十四项专利，范围涵盖超接面（super-junction）功率晶体管以及沟槽式功率MOSFET和IGBT功率晶体管。

这起诉讼已透过广泛的半导体技术专利交互授权达成和解。根据协议，快捷必须支付英飞凌费用，但具体协议内容保密。英飞凌与快捷半导体将通知美国德拉瓦州地方法院双方已达成和解协议，并将提请撤案。

英飞凌目前正与多家半导体厂商进行讨论专利授权事宜。英飞凌认为这类讨论是为永续保护所属知识产权与商业利益的必要策略。