据经济日报报导，英飞凌将增加大中华地区的投资及结盟伙伴，预计2006年DRAM代工比率达五成，以降低价格风险，夺取全球25％市场。英飞凌内存执行长艾格司表示，今年英飞凌DRAM自制率为80％，而将由2004年开始委交中芯上海及北京12吋厂代工的DRA-M，月产为6万片，与南科合资的华亚12吋厂也开始投产，加上华邦电月产2万片，DRAM代工比重将逐月升高。

该报导指出，按照英飞凌的大中华布局，DRAM制程研发合作伙伴以南亚科技为主，锁定90及70奈米高阶制程; 代工伙伴在桃园、新竹、上海、北京四个城市，主要代工厂商为华亚、华邦电、中芯上海及北京厂。 至于与茂硅合资的茂德科技，英飞凌已经逐步出脱持股，终止合作关系。

此外，英飞凌也宣布在苏州成立封装测试厂，总投资额10亿美元，并于西安设立研发中心，扩大内存、通讯及消费性IC研发。艾格司表示，英飞凌除了产销DRAM，也积极进入闪存领域，合资对象为以色列Sai-fun，未来将推出NAND型闪存，抢攻IA产品储存市场。艾格司预计五年内，取得大陆40％的内存市场，并增加通讯、消费性芯片市占率。