（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）于欧洲PCIM 2015展会首度展出英飞凌与国际整流器公司（IR）整合后的功率产品组合，此外也将展出GaN（氮化镓）产品，以及许多源自英飞凌「从产品思维到系统洞察」策略的创新解决方案。 英飞凌此次展出的重点产品说明部分如下。

英飞凌（Infineon）于欧洲PCIM 2015展会首度展出与国际整流器公司（IR）整合后的功率产品组

超接面MOSFET技术的持续精进，是满足现今硬切换及软切换功率转换电路在效率、尺寸及成本需求的关键。 其中CoolMOS C7 600 V技术让效率大幅提升，不仅使功率密度显著增加，也奠定朝向「类氮化镓」低切换损耗发展的基础。 全新MOSFET系列是业界率先突破每 mm2 1 Ω RDS(ON) x A 限制的产品。

为因应耐用性应用需求的持续提升，英飞凌推出高功率的IGBT模块可涵盖从3.3至6.5 kV完整电压范围的 IGBT 芯片。 其中高功率平台具备可扩充性，能够大幅简化系统设计和制造。 此外，其封装技术具备坚固的架构，提供产品的长期可靠性。

智能型功率模块MIPAQ Pro提供全新等级的智能保护功能，是完全合格且经过测试的IPM，整合IGBT、闸极驱动器、散热片、传感器、数字控制电子装置以及数字总线通讯。 这款模块采用半桥式组态，阻断电压为 1200 V及1700 V，可支持高达 2400 A 的额定电流。 所有关键作业参数都受到密切监控，并发布警告讯号。

随着电力电子装置的功率密度提升，对功率模块及散热片之间的热接口造成更大挑战。 英飞凌的热接口材料TIM 不仅提供最低热阻，也符合功率模块最高的质量标准，达到最长的使用寿命以及最高的系统可靠性。 TIM 为预先涂覆，目前已应用于多款英飞凌模块及未来设计。

IGBT5和 . XT 开创了IGBT芯片和互连技术的新纪元。 新型PrimePACK产品均采用上述两种技术，可增加10 倍寿命或提升25%的功率密度。 最新一代IGBT5芯片可提升25度的最高操作接面温度。 而.XT技术则已透过烧结IGBT芯片和二极管、强化系统焊接，以及使用铜键合取代铝键合等方式实现。

另外，英飞凌透过创新的功率芯片冷却方法，让适用于油电混合及纯电动车的全新功率模块在功率密度方面跨出重大进展，实现高效率的变频器。