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旺宏、IBM与奇梦达成功开发PCM储存技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2006年12月12日 星期二

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IBM、Qimonda和台湾的旺宏电子(Macronix)共同联合成功开发出相变化内存(Phase Change Memory;PCM)的储存技术。

PCM技术可代替一般储存记忆装置。(Source:HDC) BigPic:597x653
PCM技术可代替一般储存记忆装置。(Source:HDC) BigPic:597x653

PCM被诸多分析机构认为将严重挑战闪存和硬盘的地位,未来PCM将被认为可应用在iPod和数字相机上,储存质量更佳的歌曲、图片和其他数据。不过也有其他相关业者与分析师抱持存疑态度,认为PCM技术的市场化趋势有待斟酌。这次IBM、Qimonda和Macronix成功开发出PCM内存储存芯片,势必在储存市场备受瞩目。

IBM、Qimonda和Macronix利用PCM储存技术,架构出一个采用锗合金的储存芯片原型,新材质已经申请了专利。相较过去,PCM储存芯片只采用50%的电源,便可在同样储存单元读取数据的开关速度,比现有闪存芯片储存速度快上500倍。PCM芯片装置的电路尺寸非常微小,只有3奈米×20奈米。IBM等团队研发PCM芯片的目标是,到2015年使其成为普遍的储存技术内容。

属于非挥发性的PCM储存内存芯片,即使切断电源供应,也可以保存数据。工程师所设计的相变化储存内存芯片的电路尺寸相当微小,因此挑战了闪存芯片的应用优势。较大尺寸的电路会散溢更多电能,且在关掉电源后最终将损失储存数据的能力。而原本被认为会长期应用的45奈米尺寸规格,也将会被PCM储存芯片的趋势所打破。PCM储存芯片尺寸可以缩小到22奈米、甚至更小;且PCM储存芯片比闪存芯片还有更长的耐久性,储存单元在重写100000万次之后才会失去储存能力。

在12月13日由美国电气及电子工程师学会(IEEE)在旧金山市所举办的2006国际电子装置会议上,将针对这项新技术的原型芯片进行深入的讨论。业界认为这将是半导体储存技术相当重大的突破。

台湾旺宏电子(Macronix)是在2004年7月与IBM签订「合作研发相变化非挥发性内存」联盟协议。在PCM研发过程中,Ovonyx、Micron、Intel、Samsung都是极具竞争力的对手。

不过目前PCM储存技术仍要突破不易制造、成本过高等技术门坎,才能够迈向市场化坦途。

關鍵字: PCM  Flash  Storage  Qimonda  Macronix  Ovonyx  存储元件  铁电性随机存取内存 
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