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旺宏、IBM與奇夢達成功開發PCM儲存技術
 

【CTIMES/SmartAuto 鍾榮峯 報導】   2006年12月12日 星期二

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IBM、Qimonda和台灣的旺宏電子(Macronix)共同聯合成功開發出相變化記憶體(Phase Change Memory;PCM)的儲存技術。

PCM技術可代替一般儲存記憶裝置。(Source:HDC) BigPic:597x653
PCM技術可代替一般儲存記憶裝置。(Source:HDC) BigPic:597x653

PCM被諸多分析機構認為將嚴重挑戰快閃記憶體和硬碟的地位,未來PCM將被認為可應用在iPod和數位相機上,儲存品質更佳的歌曲、圖片和其他資料。不過也有其他相關業者與分析師抱持存疑態度,認為PCM技術的市場化趨勢有待斟酌。這次IBM、Qimonda和Macronix成功開發出PCM記憶體儲存晶片,勢必在儲存市場備受矚目。

IBM、Qimonda和Macronix利用PCM儲存技術,架構出一個採用鍺合金的儲存晶片原型,新材質已經申請了專利。相較過去,PCM儲存晶片只採用50%的電源,便可在同樣儲存單元讀取資料的開關速度,比現有快閃記憶體晶片儲存速度快上500倍。PCM晶片裝置的電路尺寸非常微小,只有3奈米×20奈米。IBM等團隊研發PCM晶片的目標是,到2015年使其成為普遍的儲存技術內容。

屬於非揮發性的PCM儲存記憶體晶片,即使切斷電源供應,也可以保存資料。工程師所設計的相變化儲存記憶體晶片的電路尺寸相當微小,因此挑戰了快閃記憶體晶片的應用優勢。較大尺寸的電路會散溢更多電能,且在關掉電源後最終將損失儲存資料的能力。而原本被認為會長期應用的45奈米尺寸規格,也將會被PCM儲存晶片的趨勢所打破。PCM儲存晶片尺寸可以縮小到22奈米、甚至更小;且PCM儲存晶片比快閃記憶體晶片還有更長的耐久性,儲存單元在重寫100000萬次之後才會失去儲存能力。

在12月13日由美國電氣及電子工程師學會(IEEE)在舊金山市所舉辦的2006國際電子裝置會議上,將針對這項新技術的原型晶片進行深入的討論。業界認為這將是半導體儲存技術相當重大的突破。

台灣旺宏電子(Macronix)是在2004年7月與IBM簽訂「合作研發相變化非揮發性記憶體」聯盟協定。在PCM研發過程中,Ovonyx、Micron、Intel、Samsung都是極具競爭力的對手。

不過目前PCM儲存技術仍要突破不易製造、成本過高等技術門檻,才能夠邁向市場化坦途。

關鍵字: PCM  Flash  Storage  奇夢達(QimondaMacronix  Ovonyx  記憶元件  鐵電性隨機存取記憶體 
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