一个全新奈米线（nanowires）等级的内存装置，在今年10月初由IBM研究人员做出了初步的成果，它能整合当今种种内存最好的质量技术于一身，而且还能降低生产成本与改善质量。虽然这还在相当早期的开发阶段，但如果实验成功的话，它可望成为通用型的内存（universal memory），用以替代现在使用的各类型内存，包括速度快容量又高的DRAM。

此一内存可以将100个位数据报裹在单一的奈米在线，比现在Flash的储存容量可高出10到100倍之多(Source:Stuart Parkin) BigPic:524x479

提出此一研究报告是IBM Almaden研究中心的实验物理学家Stuart Parkin，他解释说，此一内存可以将100个位数据报裹在单一的奈米在线，比现在Flash的储存容量可高出10到100倍之多，而且访问速度又快得多。在延伸性应用而言，因为也是固态内存，所以远比还要利用机戒装置来读写数据的硬式磁盘驱动器坚固耐用。Parkin强调，原则上它将比Flash更便宜、密度更高、速度超快，而且不用套装机械装置，总体而言就是更可信赖。

此一结构概念是在磁性材料奈米级的作用上，提出一个崭新的方法，让电流通过磁性材料时，开放路径来储存多个bit的数据在单一奈米在线(如图)，Parkin已经验证此一新型内存的基本要素，但尚未建构出一个完整的原型器件。虽然还是早期开发阶段，但他的研究却引起广大的瞩目，这与他过去在磁性储存装置重大突破的成功记录有关，由于Parkin很早就发现并投入磁性材料的技术研究，让现今的硬盘储存密度得以增加上千个迭层。

此一内存的关键性技术是发现沿着奈米线的长度上，来回存放位数据的方法。也就是说利用建立或移除磁性区域的动作来储存位信息，磁性区域就是在磁性奈米在线称作域壁（domain wall）特殊磁场，可以透过传统电子装置来读取这些域壁上的位数据。

在建构此一内存时有两种可能的配置，一是垂直式的安排（图左），制作上较为困难，所以研究人员第一步将只建立水平式的装置（图下）。垂直的安排能储存的容量就大多了，一般而言在同样的区域面积上，传统装置能储存1 bit数据的话，此一内存则能储存100 bits之多，这就是能达到高密度的关键。