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台积电0.18微米40伏特高电压制程成功量产
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年11月27日 星期六

浏览人次:【3948】

晶圆大厂台积电宣布该公司已成功使用0.18微米40伏特高电压制程技术,为客户量产手持式薄膜液晶显示器(TFT LCD)芯片。此项制程技术为客户提供系统单芯片解决方案,甚具突破性意义,能够减少先进手持式产品显示器芯片的数目、缩小基板面积、节省耗电量以及增加显像效能。

台积电表示,藉由0.18微米制程技术,芯片设计人员能够将LCD源极驱动芯片(Source Driver IC)、闸极驱动芯片(Gate Driver IC)以及电源管理芯片整合在一起,以降低显示器芯片数目,并延长液晶显示器之电池寿命。此外,芯片设计人员也可以选择开发更高度整合的系统单芯片,进一步将应用于移动电话高阶视频图形数组(VGA)的绘图控制芯片以及薄膜或彩色屏幕驱动芯片整合在一起。

台积电的此项制程具备卓越的隔绝(isolation)技术,能够高度有效地整合1.8伏特、5 伏特以及40伏特三种不同电压电路。同时,此制程技术能将噪声(noise)降至最低并可以有效避免电路闭锁(latch up)的问题,以确保组件正常运作并延长组件的寿命。而此项0.18微米40伏特高电压制程技术,也可兼容于台积电0.18微米低电制程的所有逻辑及模拟硅智财,可降低客户设计成本。

同时,有鉴于芯片设计人员对于个人手持产品显示器芯片质量的优化之不同需求,台积电预计于2005年推出显示器影像效能单次调整(OTP)及多次调整(MTP)功能的特殊硅智财;使用此两项特殊硅智财毋须增加任何芯片生产制程步骤。此外台积电也同时提供客户该制程的晶圆共乘(CyberShuttle)服务,供客户快速及以较低的成本进行芯片验证及工程样品芯片试制,并提供客户包括金凸块(Gold Bumping)等后段测试服务。

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