闪存最近几年在高科技产业的成长热度不减，尽管许多厂商在见到市场的兴盛后不断投入，Flash（闪存）的出货量直线上升，价格也越见降低，但是却只见到更多新兴应用出现Flash的身影，专注于Flash的Spansion自AMD与Fujitsu独立之后，市场表现渐入佳境，近来更以策略联盟协议、成立海外大型设计中心等大动作，宣示对于Flash产业未来的信心。

Spansion执行副总裁暨营运长James Doran

过去专注于NOR Flash的Spansion最近两年在该市场与Intel的竞争十分激烈，不过相较于NAND Flash的市场成长力道显得乏力许多，因此该公司也发展兼具NOR Flash与NAND Flash的ORNAND Flash技术，Spansion执行副总裁暨营运长James Doran表示，ORNAND采用MirrorBit架构，除了可以储存执行程序代码之外，也适合做大量数据的储存。

就像不久前Spansion与另外一Flash厂商Saifun达成的授权协议一样，Saifun将为90nm及65nm MirrorBit Quad产品的开发提供工程和设计支持。MirrorBit Quad产品以Spansion所属专利的MirrorBit技术为基础，该技术并整合Saifun所属专利的NROM IP，协助Spansion目前的MirrorBit架构采用不导电的氮化物储存媒介，提供优于浮动闸门（Floating Gate）技术的基础成本与制造优势，每个Cell从两位储存能力提升到每单位四位。

MirrorBit Quad技术不只用在NOR Flash产品中，也将导入ORNAND产品中，James Doran指出，目前手机嵌入式内存的应用是该公司成长最为迅速的业务之一，而ORNAND产品就非常适合手机的应用需求。目前NOR Flash与NAND Flash的技术特性与应用领域有其区别，但是未来将会逐渐模糊，产品设计中必须以应用需求为重点，所以完全储存与完全程序执行应用的需求将会降低，厂商必须有提供整体储存解决方案的能力。

由于单位成本储存能力对于Flash供货商相当重要，所以除了每单位的位储存能力之外，芯片制程也是另一个左右竞争力的重要指针，James Doran说明，Spansion目前的产品以110奈米制程为主，90奈米制程只有在德州的Fab25量产，与台积电合作的产品明年也将进入90奈米，65奈米制程预计今年底在德州试产，2007年中正式量产，最先进的45奈米制程产品，预计在2008年透过在日本的12吋厂以升级设备的方式投入。

James Doran进一步表示，一般来说改进一个制程可以让Flash的晶粒尺寸缩小40％，同样大小的芯片容量提升的比例也大约是40％，所以对于Spansion来说制程技术的推展当然相当重要。所以，该公司也在8月宣布，于中国苏州设立一个新的设计中心，Spansion将此中心设立于其苏州生产基地中，主要是为了服务亚太地区消费性电子产品客户的Flash储存方案需求，该中心初步将由10位工程师所组成，计划于三年内扩增至50名，并扩展系统和软件工程资源。预计于2007年中开始全面营运。