半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出全新SPICE模型「ROHM Level 3 (L3)」，大幅提升了收敛性和模拟速度。

使用者可从第4代SiC MOSFET产品页面的「设计模型」中进行下载

功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的模拟验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型「ROHM Level 1 (L1)」，透过提高每种特性的再现性，满足了高精度模拟的需求。然而，该模型也存在着模拟收敛性和运算时间较长等有待改进的课题。

新模型「ROHM Level 3 (L3)」透过简化模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将模拟时间缩短为以往L1模型的约50%。故能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，有助提升应用设计阶段的元件评估与损耗确认的效率。

「ROHM Level 3 (L3)」的第4代SiC MOSFET模型（共37款机型）已经於2025年4月在官网上公布，使用者可透过产品页面等进行下载。新模型L3推出後，以往模型仍将继续提供。另外ROHM亦公布了详细的使用白皮书，帮助使用者顺利导入新模型。