為了將雙載子電晶體和金氧半電晶體相結合，以得到一個有絕緣閘輸入並有低導通電阻的功率元件，而促成了絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)的研究發展。國內的工研院電子所目前也正積極研究此先進製程技術，並表示最快在3月份完成IGBT的驗證工作，其規格則可做到電壓600伏，電流30安培。

IBGT一般被大量應用在工業用啟動馬達的交換控制，早在去年電子所即進行IGBT的研發計劃，目前已經進行到驗證階段，預計3至4月份完成驗證事宜。電子所也表示，在驗證結束後，將與有興趣的廠商做進一步洽談事項，包括UPS廠商、電源供應器廠商、蕭特基二極體設計商等。