力旺電子宣佈其第二代嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable，MTP)記憶體矽智財NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD製程完成佈局，專攻電源管理IC，因應日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求。二代MTP記憶體面積縮小超過40%，提供更具經濟效益的解決方案，目前已有客戶完成產品設計定案(Tape-out)並且即將進入量產(Mass Production)。

力旺在Dongbu Hitek 0.18um BCD製程開發的NeoMTP矽智財擁有可在車規要求的溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次，且能在125°的高溫下維持10年以上的資料留存的優異性能，同時，其2.6V-5.5V優於一般工作範圍的操作電壓區間及低功耗、高速讀取等特性，有利於客戶在產品設計上具備彈性及競爭力，並在無線充電和USB Type C等快速成長的市場享有明顯的優勢。

Dongbu Hitek行銷副總Benjamin Sun表示：「力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體解決方案有助於該公司在BCDMOS製程提供更完整的解決方案，為先進的類比與電源控制設計提供良好的基礎及最佳化其成本效能。」

力旺業務發展處副總經理何明洲表示：「非揮發性記憶體已經是BCD平台不可或缺的一項解決方案，我們很高興與Dongbu Hitek合作，提供力旺的NeoMTP技術，成為客戶卡位PMIC應用商機的最佳合作夥伴。」

力旺NeoMTP技術是目前業界最具成本效益的嵌入式MTP方案，IC設計廠商使用NeoMTP矽智財不僅可延長產品生命週期，而且可擴大產品之應用範圍。無線充電器可藉由嵌入NeoMTP IP而允許頻繁修改內設之電源開關順序、輸出電流及溫度控制等規格參數，以達到產品最佳化之目的；此外，採用NeoMTP也可以讓USB Type C進行多次軟體及產品功能更新。

力旺與Dongbu Hitek自2008年長期合作以來，一直保持良好且密切的關係，除嵌入式可多次編寫記憶體矽智財外，可一次編寫(One-Times Programmable，OTP)記憶體矽智財NeoBit和NeoFuse亦於Dongbu Hitek不同製程平台完成佈局，為不同應用之客戶提供彈性多元選擇。未來雙方將攜手更進一步合作，以滿足更多客戶需求，使客戶產品更具備市場競爭力。