由於全球各DRAM廠紛紛大幅投資興建12吋晶圓新廠或擴充12吋產能，為消化原有的8吋廠產能，各家業者也陸續制定策略，紛紛以推出多樣化產品線或是增加代工比重來增加DRAM之外的營收，而由於消費性電子需求量大，這些策略為業者帶來不少額外營收成長。

韓國三星是以NAND Flash（快閃記憶體）做為消化產能策略，該公司NAND Flash產出在2003年成長180％，且受到平均產品價格每季下跌20％的影響，2004年產出預計更將增加180％。而在NAND Flash產出成長量遠大於DRAM的情況下，三星的NAND Flash出貨量將在今年第4季超越DRAM。在非DRAM營收部份的增長，今年預期將從去年的33％提升到48％。

另一家韓國記憶體業者Hynix也分撥更多產能在system IC及NAND Flash的生產上，在該公司今年第2季的營收報告裏，system IC占該公司整體營收的17％，而SRAM/Flash比重則有5％。美商美光的非DRAM部門則占總體營收的15％，而其中有很大的部份是來自CMOS感測器，該公司預測今年手機用CMOS感測器銷售量將達4000至6000萬顆。

台灣DRAM廠部分，力晶則計劃提撥4成產能從事代工來增加非DRAM部份的營收，並持續增加產品種類，跨足消費性RAM、ASIC、CMOS、Flash及system IC等。茂德也致力增加代工比重，南亞科技則仍將主力放在標準型DRAM上，其今年代工比重只占產能的一成。