工研院與日本基板大廠KANEKA共同發表合作開發可應用於未來軟性顯示器的半導體氧化物電晶體陣列技術(IGZO, In-Ga-Zn-OTFT)，這項創新開發的IGZO TFT陣列創新開發出≦200°C低溫製程，更具有高撓曲特點，曲率半徑?1公分，已克服傳統電晶體高溫製程熱脹冷縮造成的位移及基板變形情形，此研究成果已獲第19屆全球顯示技術研討會(International Display Workshops , IDW’12)入選論文殊榮，並受邀於12月4日研討會中發表。

傳統的電晶體是在380°c高溫製程中，在矽晶圓(Wafer)或玻璃等堅固材質上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導體製程，在矽晶圓上製作出極小的微結構。工研院開發的IGZO TFT陣列創新使用塑膠基板及低溫≦200°C製程，使電晶體在低溫製程中，仍具有好的電流開關比特性，也因整合元件結構，突破製程中溫度升高時，電晶體與塑膠基板兩個不同材質因熱脹冷縮不一致的應力問題，使軟性基板在製作過程中不易破裂外，也使軟性基板在製程中維持其平坦性及透明度，易於製作高撓曲TFT背板。

工研院的創新氧化物薄膜電晶體陣列技術，已整合應用於基板大廠KANEKA的軟性塑膠(Polyimide,PI)基板，經過雙方合作驗證，已成功克服應力所造成元件特性失效的技術挑戰及實現高撓曲氧化物薄膜電晶體陣列技術(曲率半徑?1公分)；同時也透過合作調整，KANEKA公司也發展出大於85%高透明度、低熱膨脹(<10ppm/oC)及高耐熱溫度(>300 oC)特性的基板。預計這項這項技術可廣泛應用於軟性AMOLED、軟性AM LCD或軟性EPD，甚至軟性OPV及OLED Lighting，可加速實現手機、電腦或電視等產品變身為輕薄、柔軟及可彎曲的產品，也為軟性電子打開嶄新應用。