英飛凌與GaN Systems宣布.兩家公司已簽署最終協議,英飛凌將以8.3億美元的價格收購GaN Systems。GaN Systems是開發基於氮化鎵的電源轉換解決方案的全球技術領導者,總部位於加拿大渥太華,擁有200多名員工。
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英飛凌執行長Jochen Hanebeck |
英飛凌執行長Jochen Hanebeck表示:「氮化鎵技術正在為支援低碳化所需的,更高能效及減碳的解決方案做好準備。GaN技術導入行動充電、資料中心電源供應、住宅用太陽能逆變器和電動車車載充電器等應用正處於轉折點,這也讓市場更加蓬勃發展。基於優異的研發資源、對於應用的理解和客戶合作計畫,收購GaN Systems的計畫將大幅加速我們 的GaN發展路徑。依據我們的策略,此次的併購將透過掌握所有相關的電源技術,從矽、碳化矽到氮化鎵,進一步強化英飛凌在電源系統領域的領導地位。」
GaN Systems執行長Jim Witham表示:「GaN Systems團隊很高興與英飛凌合作,雙方優勢能互補加乘,為客戶提供高度差異化的產品。 憑藉我們在提供卓越解決方案方面的共同專長,我們將以最佳方式發揮GaN的潛力。 結合GaN Systems在晶圓代工方面的布局與英飛凌的內部製造能力,將可以實現最大的增長能力,以滿足GaN在我們廣泛目標市場中的加速應用。我為GaN Systems迄今為止所取得的成就感到非常自豪,並且也非常期待與英飛凌一起創造下一個篇章。英飛凌作為擁有廣泛技術能力的整合元件製造商,將能充分發揮我們的潛力。」
GaN是一種寬能隙材料,透過更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸,特別是在更高的開關頻率下,為客戶提供價值。 這些特性可實現節能和更小的外形尺寸,使GaN適合廣泛的應用。
市場分析師預估,到2027年,用於功率應用的GaN營收將以56%的年複合成長率(CAGR)增長至約20億美元(來源:Yole,化合物半導體市場監測,模組I ,2022年第四季)。 因此,GaN正在成為功率半導體的關鍵材料,與矽和碳化矽並駕齊驅,並搭配新的拓撲結構,例如混合返馳式和多級實現。
2022年2月,英飛淩宣佈投資超過20億歐元在馬來西亞居林(Kulim)新建一座前段工廠,加倍擴大寬能隙產能,鞏固其市場地位。 首批晶圓將於2024年下半年開始出貨,加入英飛凌在奧地利菲拉赫(Villach)既有寬能隙製造基地的陣容。
此次計畫將以全現金交易的方式收購GaN Systems,資金將來自現有的流動資金。該交易須遵守慣例成交條件,包括主管機關的批准。