羅契斯特(Rochester)大學的研發人員發明一種新的「彈道參數計算」晶體設計,採用這種設計方法可以製造速度達兆赫的電晶體,處理速度快而且發熱量很小。該大學電腦工程教授Marc Feldman表示,這種「彈道偏轉電晶體」(The Ballistic Deflection Transistor-BDT)設計所帶來的變化是根本性的。
![彈道偏轉電晶體示意圖 (Source : Unveristy of Rochester) BigPic:599x426](/news/2006/08/21/2015178217S.jpg) |
彈道偏轉電晶體示意圖 (Source : Unveristy of Rochester) BigPic:599x426 |
標準電晶體不斷縮小的歷程中,存在一個難以克服的問題。按照當前的電晶體設計,電容層在尺度極小的時候會出現問題,而BDT沒有有電容層。提出這個設計思路的該校研究生Quentin Diduck稱BDT是從繼電器、電子管和半導體之後技術進化軌跡的下一發展階段。
據Rochester大學稱,BDT利用電子傾向於「游離」的慣性將電子彈入選定的彈道,而不是用強制性外力將其放入合適的位置。它的功能更像是電子的一個交接點,而不是一個耗費能量來停止或啟動電子的裝置。正是採用這種方法,能量消耗量要求大大降低。
羅契斯特(Rochester)大學成立於1829年,是一間強調職業教育的私立大學,位於Rochester的郊區,Rochester是New York第三大的都市,擁有以科技為基礎的強大經濟背景,也是全美排名前十的輸出城市。