据网站Silicon Strategies报导，摩尔定律发表人Gordon E. Moore认为，摩尔定律（Moore's Law）在未来10年内仍然适用于半导体产业，但半导体业者对未来的制程方法仍有相当歧见，何种IC制造方式可以取代CMOS制程仍然没有定论。

目前最热门的半导体包括矽锗（SiGe）、磷化铟（InP），制程技术则包括90奈米CMOS制程，双闸电晶体或鳍式电晶体（FinFET）及碳奈米管等。双闸电晶体的确可解决线距过小产生的漏电流问题，介电质的启始电压问题也可获得改善，耗能更较目前的CMOS制程产品降低35％～50％。

改良自双闸电晶体的鳍式电晶体则使双闸电晶体的制造问题得到改善；透过将电晶体以垂直配置方式取代传统的平面配置，可以省下相当空间，增加晶片的集积度。此一技术将使SRAM、输出入单元的制程进化到65奈米节点，目前英特尔（Intel）、超微（AMD）、台积电等业者及美国加大柏克莱分校等学术单位都在积极开发实用的鳍式电晶体，柏克莱分校宣称闸据可低至60奈米，台积电宣称可达35奈米，超微则宣称理论值可以小到10奈米。

但鳍式电晶体有其限制，若线路的配置及绘图工具没有重大突破，则必须耗费长时间的工作才能将现有产品转化为鳍式电晶体。分析师指出，即使可以用EDA工具取代，也必须等上数年的时间。

化合物半导体如磷化铟等虽拥有良好的特性，但磷化铟的制程成本较高，妨碍其发展。业界人士表示，CMOS最大的优点就在成本低廉，因此CMOS制程生命周期不会太快结束。另一有希望取代CMOS制程的半导体是矽锗半导体，目前矽锗半导体已用于40Gbps通讯用电路及77GHz车用雷达等电路上，未来前景大有可观。