据业界消息，韩国、台湾DRAM现货价在下游库存偏低的情况下止跌反弹；其中台湾DDR400现货报价平均价重新站上4美元整数关卡， 韩国DDR400模块现货价也从37美元回升至42美元，反弹幅度达11％。

分析师表示，DRAM现货行情出现反弹，主要在于下游库存低档，以及圣诞节、中国农历年预期需求逐步释出等因素催化、支撑所致；其中以欧美需求强度相对明显。目前市场对DRAM现货后市多抱持两种看法，立场较偏稳健保守者认为，这一波涨势会延续至圣诞节，其后一直整理到明年三、四月，再度重新上扬，另外一派意见则乐观认为，这一波DRAM涨势可望延续到明年二月中国农历新年假期。

茂德董事长陈民良表示，明年下半年市场对512MB DDR2需求及产出可望明显提升，届时，8吋厂产能将会被迫退出；尤其后端测试产能明显不足，将使DRAM有供不应求的情况，预估明年整体DRAM行情发展仍属相对稳健状态。