工商时报引述华尔街日报消息指出，为提升半导体的效能，全球主要的芯片业者莫不致力于从硅及其他材料中寻求突破制造科技瓶颈的方法，IBM、德州仪器（TI）、英特尔（Intel）、台积电、超威（AMD）等，在相关研究上都各有斩获，将在本周登场的国际电子组件会议（IEDM）上发表最新成果。

根据报导，IBM已成功地运用让分子自行聚合成电路的技术，并认为这将是目前普遍使用的光蚀刻技术的可能替代方法。TI将在IEDM提出论文，探讨可能可以将目前还处于实验阶段的单电子晶体管（SETs）用于芯片制造。迄目前为止，SETs的用途主要都被界定在储存数据上，然而TI及洛桑瑞士联邦科技研突所的研究人员所做过的仿真，却显示可以结合SETs及传统晶体管，发挥其他的功能。

Intel去年曾作出震惊业界的宣示，声称该公司将把应变硅（Strained Silicon）科技导入一种制程中，而这种制程目前已迈入量产阶段。Intel制程架构与整合主管波尔表示，将在IEDM中揭露新的进展，包括芯片的速度提升25％，而成本却只增加2％。台积电则将在IEDM上提出有关展延硅原子、藉以加快电流流速达45％的研究成果。而台积电也在另一份报告中指出，该公司已做出适合SRAM的储存晶格，体积比Intel近来声称将用于下一代制程的晶格小21％。

AMD则将进一步阐述该公司可能在2005年之后导入的三闸门晶体管。超威制程科技开发副总裁桑德预估，这种新组件可加快电流流速50％。另外还有其他探讨新材料运用方法的论文，包括所谓的高介电材料，用以降低芯片的漏电量。Intel已声称在这个领域有所突破，TI也将表示该公司在铪硅氮氧化物材料上亦获致进展。