据Chinatimes报导，大陆晶圆业者中芯、和舰等的制程已提升至0.18微米，而我国对晶圆厂赴大陆投资之规定，仍将制程技术限制在0.25微米以上较低阶的部分，为配合全球半导体技术之迅速演进，经济部将针对是否应调整两年前所订的制程技术限制进行评估。

该报导指出，依据我国的「在大陆地区投资晶圆厂审查及监督作业要点」，登陆投资的8吋晶圆厂制程技术必须在0.25微米以上，以和台湾较高阶制程的产品有所区隔。经济部指出，台积电松江8吋厂依据此一规范，已在92年2月底获准登陆，并于日前提出输出旧设备的第二阶段申请案。

而对于媒体报导台积电登陆案，倾向以缩小产能换取0.18微米以下高阶制程登陆，经济部官员表示，台积电的申请案仍在规范的范围内，并没有提出升级0.18微米制程之要求。但对于现行法规仍将制程限制在0.25微米以上，经济部高层表示，该两年前所订定的限制，随着时代变迁确有必要重新讨论。

此外针对立法委员先前要求开放半导体封装测试业登陆的议题，据了解经济部将于近期提出研究报告近期送行政院会核定。小尺寸液晶面板中段制程技术赴陆投资，经济部也朝开放方向评估，相关报告预计两个月内即可出炉。但经济部长林义夫表示，解除登陆限制必须经过一定的审查程序，不可能这么快宣布。