宜特科技(3289)正式启动次2奈米世代 ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积)新材料选材与验证服务,进一步延伸至化学材料端的选材、镀膜测试与品质确认。此举使宜特不仅扮演晶片验证夥伴,更成为材料厂商开发新配方的关键加速器。
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| 宜特正式启动次2奈米世代新材料选材与验证服务 |
宜特观察发现,晶圆代工大厂、IDM厂在今年下半年,陆续在2奈米、18A进入量产,均属立体电晶体架构,对ALD设备与新材料需求大幅扩张。如何在复杂3D结构中均匀镀膜,是最困难的一环。传统CVD与PVD(物理气相沉积)在3D结构上均有限制。以PVD为例,透过蒸镀或溅镀方式,往往无法覆盖内部深层区域;CVD则因气体反应速率过快,容易导致薄膜厚度不均。
相较之下,ALD 技术以「原子层逐层沉积」可精准控制膜厚,及其生成的薄膜具高均匀度及覆盖性优异,被视为2奈米後之先进制程不可或缺的关键技术。但ALD沉积速度慢、叁数复杂,及其新材料反应条件的掌握尤为严苛。宜特推进ALD新材料验证平台,可协助材料商在开发阶段完成镀膜实验,快速评估新材料薄膜的品质与一致性,缩短客户开发周期。
目前业界ALD於制程段可用於制造高介电薄膜及相关先进电晶体(例如GAA/CFET);而另外将ALD应用於试片制备时的保护层以避免样品损伤,这已是在TEM分析上的常规作法。然而,宜特的ALD能力并不仅止於此,而是进一步串接「材料选择 ← 镀膜制程 ← 薄膜分析 ← 制程验证」,协助化学材料商、晶片制造商与设备供应商完成新材料验证与最隹化,提供更完整的产业链「材料端至晶片端」之间的分析验证。
宜特表示,未来半导体的突破不仅来自制程微缩,更仰赖新材料的导入。宜特藉由 ALD 新材料验证,将协助材料与设备供应链加速定义下一世代标准,成为推动次 2 奈米世代後的关键力量。
随着半导体进入新材料时代,宜特透过ALD新材料验证平台服务,将持续拓展「晶片验证 + 新材料验证」双轨成长曲线,为客户提供差异化解决方案,亦将成为推动宜特後续营运新引擎。
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