据网站Korea Times消息，南韩内存业者Hynix表示，该公司在中国大陆的分公司预定2005下半年开始量产；此外Hynix财务长Chung Hyung-ryang表示，该公司中国分公司将由母公司100％独资持股。

Hynix表示该公司并不担心在大陆生产、出货，会与大陆厂商产生贸易冲突，以致遭到大陆关税报复，他相信，等到Hynix在大陆的晶圆厂于2005年下半开始量产之后，届时大陆的产能亦已处于满载阶段，因此Hynix最新产能的加入，不见得是件坏事。目前Hynix在大陆选定建厂的时程已到最后决定阶段，但仍未透露确切落脚地点，此外该公司亦不愿透露未来大陆晶圆厂建成后的每月产能预估。

Hynix在全球DRAM市场名列前4强，全球市占率约15％，由于遭受到美国与欧盟惩罚性高关税措施打击，目前进口欧美市场的内存芯片产品，皆由美国Eugene晶圆厂出货。此外，自从Hynix藉意法微电子（ST）之力，进军NAND型Flash市场以来，海力士已积极加快扩充产能脚步，预估到2004年底时，可将NAND型Flash每月产能从1万片，提升至每月产能3万片规模。

Hynix指出，虽然三星（Samsung）表示将在2004年调降Flash价格45％，但对于Hynix的获利并无损害，毕竟Flash产品的核心结构要比DRAM来得容易，想要在Flash市场上重演削价竞争的戏码并不容易。Hynix指出，该公司2003年资本支出为7,000亿韩元（约合5.97亿美元），计划2004年加码资本支出到1.4兆韩元（约合11.94亿美元），主要是用在升级晶圆厂等生产设施。